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Datasheet BPX43 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
1 | BPX43 | Silicon NPN Phototransistor BPX43
Vishay Telefunken
Silicon NPN Phototransistor
Description
BPX43 is a very high sensitive silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a standard TO–18 hermetically sealed metal case with a glass lens. A superior linearity of photocurrent vs. irradiation makes it ideal for linear applicat | Vishay Telefunken | transistor |
2 | BPX43 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1 | Siemens Semiconductor Group | transistor |
3 | BPX43 | PHOTOTRANSISTOR BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1 | Siemens Semiconductor Group | transistor |
4 | BPX43-2 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1 | Siemens Semiconductor Group | transistor |
5 | BPX43-3 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1 | Siemens Semiconductor Group | transistor |
BPX Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | BPX-65 | Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode
BPX 65 BPX 66
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit q BPX 66 Siemens Semiconductor Group diode | | |
2 | BPX25 | Silicon Planar Photo Transistor ETC transistor | | |
3 | BPX29 | Silicon Planar Photo Transistor ETC transistor | | |
4 | BPX38 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbau Siemens Semiconductor Group transistor | | |
5 | BPX38 | PHOTOTRANSISTOR BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbau Siemens Semiconductor Group transistor | | |
6 | BPX38-2 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbau Siemens Semiconductor Group transistor | | |
7 | BPX38-3 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbau Siemens Semiconductor Group transistor | |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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