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BDP950 데이터시트 PDF




Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 BDP950은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BDP950 자료 제공

부품번호 BDP950 기능
기능 PNP Silicon AF Power Transistors
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고


BDP950 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BDP950 데이터시트, 핀배열, 회로
PNP Silicon AF Power Transistors
 For AF driver and output stages
 High collector current
 High current gain
 Low collector-emitter saturation voltage
 Complementary types: BDP947, BDP949 (NPN)
BDP948, BDP950
4
3
2
1 VPS05163
Type
BDP948
BDP950
Marking
BDP 948
BDP 950
1=B
1=B
Pin Configuration
2=C 3=E 4=C
2=C 3=E 4=C
Package
SOT223
SOT223
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Peak collector current
Base current
Peak base current
Total power dissipation, TS = 99 °C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
BDP948
BDP950
45 60
45 60
55
3
5
200
500
3
150
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point1)
RthJS
17
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Unit
V
A
mA
W
°C
K/W
1 Jul-06-2001




BDP950 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BDP948, BDP950
Collector cutoff current ICBO = f (TA)
VCB = 45V
10 5
nA
10 4
10 3
max
10 2
10 1
typ
10 0
Collector-emitter saturation voltage
IC = f (VCEsat), hFE = 10
10 4
mA
10 3
100°C
10 2
25°C
-50°C
10 1
10 -1
0
20 40 60 80 100 120 °C 150
TA
Base-emitter saturation voltage
IC = f (VBEsat), hFE = 10
10 0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 V
0.6
VCEsat
Collector current IC = f (VBE)
VCE = 2V
10 4
mA
10 4
mA
10 3
10 3
-50°C
-50°C
25°C
25°C
100°C
10 2
100°C
10 2
10 1
10 1
10 0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V 1.3
VBEsat
4
10 0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V 1.3
VBE
Jul-06-2001

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