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BF1100 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BF1100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BF1100 자료 제공

부품번호 BF1100 기능
기능 Dual-gate MOS-FETs
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BF1100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BF1100 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF1100; BF1100R
Dual-gate MOS-FETs
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
Philips Semiconductors
1995 Apr 25




BF1100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1100; BF1100R
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Rth j-a
Rth j-s
thermal resistance from junction to ambient
BF1100
BF1100R
thermal resistance from junction to soldering point
BF1100
BF1100R
note 1
note 2
Ts = 92 °C
Ts = 78 °C
Notes
1. Device mounted on a printed-circuit board.
2. Ts is the temperature at the soldering point of the source lead.
VALUE
500
550
290
360
UNIT
K/W
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)G1-SS
V(BR)G2-SS
V(F)S-G1
V(F)S-G2
VG1-S(th)
gate 1-source breakdown voltage
gate 2-source breakdown voltage
forward source-gate 1 voltage
forward source-gate 2 voltage
gate 1-source threshold voltage
VG2-S(th)
gate 2-source threshold voltage
IDSX drain-source current
IG1-SS
IG2-SS
gate 1 cut-off current
gate 2 cut-off current
VG2-S = VDS = 0; IG1-S = 1 mA
VG1-S = VDS = 0; IG2-S = 1 mA
VG2-S = VDS = 0; IS-G1 = 10 mA
VG1-S = VDS = 0; IS-G2 = 10 mA
VG2-S = 4 V; VDS = 9 V;
ID = 20 µA
VG2-S = 4 V; VDS = 12 V;
ID = 20 µA
VG1-S = 4 V; VDS = 9 V;
ID = 20 µA
VG1-S = 4 V; VDS = 12 V;
ID = 20 µA
VG2-S = 4 V; VDS = 9 V;
RG1 = 180 k; note 1
VG2-S = 4 V; VDS = 12 V;
RG1 = 250 k; note 2
VG2-S = VDS = 0; VG1-S = 12 V
VG1-S = VDS = 0; VG2-S = 12 V
Notes
1. RG1 connects gate 1 to VGG = 9 V; see Fig.27.
2. RG1 connects gate 1 to VGG = 12 V; see Fig.27.
MIN.
13.2
13.2
0.5
0.5
0.3
MAX.
20
20
1.5
1.5
1
UNIT
V
V
V
V
V
0.3 1
V
0.3 1.2 V
0.3 1.2 V
8 13 mA
8 13 mA
50 nA
50 nA
1995 Apr 25
4

4페이지










BF1100 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
Dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1100; BF1100R
handbook,1h6alfpage
ID
(mA)
12
8
4
MLD163
handbook,2h0alfpage
ID
(mA)
15
10
5
R G1 = 100 k
MLD164
147 k
180 k
205 k
249 k
301 k
402 k
511 k
0
0 20 40 60 80
I G1 (µA)
VDS = 9 to 12 V.
VG2-S = 4 V.
Tj = 25 °C.
Fig.11 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
0
04
VG2-S = 4 V.
RG1 connected to VGG.
Tj = 25 °C.
8 12 16
VGG = VDS (V)
Fig.12 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= VGG) and drain supply voltage;
typical values; see Fig.27.
handbook,1h2alfpage
ID
(mA)
8
MLD165
handbook,1h2alfpage
ID
(mA)
8
MLD166
44
0
0 2 4 6 8 10
VGG (V)
0
0 4 8 12
VGG (V)
VDS = 9 V; VG2-S = 4 V.
RG1 = 180 kΩ (connected to VGG); Tj = 25 °C.
Fig.13 Drain current as a function of gate 1 voltage
(= VGG); typical values; see Fig.27.
VDS = 12 V; VG2-S = 4 V.
RG1 = 250 k(connected to VGG); Tj = 25 °C.
Fig.14 Drain current as a function of gate 1 voltage;
(= VGG); typical values; see Fig.27.
1995 Apr 25
7

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