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BF1101R 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BF1101R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BF1101R 자료 제공

부품번호 BF1101R 기능
기능 N-channel dual-gate MOS-FETs
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BF1101R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BF1101R 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF1101; BF1101R; BF1101WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
Supersedes data of 1999 Feb 01
1999 May 14




BF1101R pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1101; BF1101R; BF1101WR
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS drain-source breakdown voltage
V(BR)G1-SS gate 1-source breakdown voltage
V(BR)G2-SS gate 2-source breakdown voltage
V(F)S-G1 forward source-gate 1 voltage
V(F)S-G2 forward source-gate 2 voltage
VG1-S (th) gate 1-source threshold voltage
VG2-S (th) gate 2-source threshold voltage
IDSX drain-source current
IG1-SS
IG2-SS
gate 1 cut-off current
gate 2 cut-off current
Note
1. RG1 connects G1 to VGG = 5 V; see Fig.21.
CONDITIONS
VG1-S = VG2-S = 0; ID = 10 µA
VG2-S = VDS = 0; IG1-S = 10 mA
VG1-S = VDS = 0; IG2-S = 10 mA
VG2-S = VDS = 0; IS-G1 = 10 mA
VG1-S = VDS = 0; IS-G2 = 10 mA
VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; ID = 100 µA
VG1-S = 5 V; VDS = 5 V; ID = 100 µA
VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; RG1 = 120 k;
note 1
VG2-S = VDS = 0; VG1-S = 5 V
VG1-S = VDS = 0; VG2-S = 4 V
MIN.
7
7
7
0.5
0.5
0.3
0.3
8
MAX. UNIT
V
16 V
16 V
1.5 V
1.5 V
1.0 V
1.2 V
16 mA
50 nA
20 nA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Common source; Tamb = 25 °C; VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; ID = 12 mA; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
yfs
Cig1-ss
Cig2-ss
Coss
Crss
F
Xmod
forward transfer admittance pulsed; Tj = 25 °C
input capacitance at gate 1 f = 1 MHz
input capacitance at gate 2 f = 1 MHz
output capacitance
f = 1 MHz
reverse transfer capacitance f = 1 MHz
noise figure
cross-modulation
f = 800 MHz; YS = YS opt
input level for k = 1% at 0 dB AGC;
fw = 50 MHz; funw = 60 MHz; note 1
input level for k = 1% at 40 dB AGC;
fw = 50 MHz; funw = 60 MHz; note 1
MIN.
25
85
TYP.
30
2.2
1.6
1.2
25
1.7
MAX.
40
2.7
35
2.5
UNIT
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dBµV
100 − − dBµV
Note
1. Measured in test circuit of Fig.21.
1999 May 14
4

4페이지










BF1101R 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1101; BF1101R; BF1101WR
40
handbook, halfpage
I G1
(µA)
30
20
10
MGS307
VGG = 5 V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
0
0 2 4 VG2-S (V) 6
VDS = 5 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 120 k(connected to VGG); see Fig.21.
Fig.13 Gate 1 current as a function of gate 2
voltage; typical values.
handbgoaoikn, h0alfpage
reduction
(dB)
10
(3) (2) (1)
MGS308
20
30
40
50
01234
VAGC (V)
VDS = 5 V; VGG = 5 V; f = 50 MHz; Tamb = 25 °C.
(1) RG1 = 68 k. (2) RG1 = 120 k. (3) RG1 = 180 k.
Fig.14 Typical gain reduction as a function of
the AGC voltage; see Fig.21.
handbook1,2h0alfpage
Vunw
(dBµV)
110
MGS309
100
(2) (3)
(1)
90
80
0 10 20 30 40 50
gain reduction (dB)
VDS = 5 V; VGG = 5 V; f = 50 MHz; funw = 60 MHz; Tamb = 25 °C.
(1) RG1 = 68 k. (2) RG1 = 120 k. (3) RG1 = 180 k.
Fig.15 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values; see Fig.21.
handbook,2h5alfpage
ID
(mA)
20
15
10
(1)
(2)
(3)
MGS310
5
0
0 10 20 30 40 50
gain reduction (dB)
VDS = 5 V; VGG = 5 V; f = 50 MHz; Tamb = 25 °C.
(1) RG1 = 68 k. (2) RG1 = 120 k. (3) RG1 = 180 k.
Fig.16 Drain current as a function of gain reduction;
typical values; see Fig.21.
1999 May 14
7

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