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BF1211R 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 BF1211R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BF1211R 자료 제공

부품번호 BF1211R 기능
기능 N-channel dual-gate MOS-FETs
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


BF1211R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BF1211R 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF1211; BF1211R; BF1211WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
2003 Dec 16




BF1211R pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1211; BF1211R; BF1211WR
250
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
200
150
100
50
0
0 50
MDB828
(2) (1)
100 150 Ts (°C) 200
(1) BF1211WR.
(2) BF1211; BF1211R.
Fig.4 Power derating curve.
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS drain-source breakdown voltage
V(BR)G1-SS gate 1-source breakdown voltage
V(BR)G2-SS gate 2-source breakdown voltage
V(F)S-G1 forward source-gate 1 voltage
V(F)S-G2 forward source-gate 2 voltage
VG1-S(th) gate 1-source threshold voltage
VG2-S(th) gate 2-source threshold voltage
IDSX drain-source current
IG1-S
IG2-S
gate 1 cut-off current
gate 2 cut-off current
Note
1. RG1 connects G1 to VGG = 5 V.
CONDITIONS
VG1-S = VG2-S = 0 V; ID = 10 µA
VG2-S = VDS = 0 V; IG1-S = 10 mA
VG1-S = VDS = 0 V; IG2-S = 10 mA
VG2-S = VDS = 0 V; IS-G1 = 10 mA
VG1-S = VDS = 0 V; IS-G2 = 10 mA
VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; ID = 100 µA
VG1-S = 5 V; VDS = 5 V; ID = 100 µA
VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; RG1 = 75 k;
note 1
VG2-S = VDS = 0 V; VG1-S = 5 V
VG1-S = VDS = 0 V; VG2-S = 4 V
MIN.
6
6
6
0.5
0.5
0.3
0.35
11
MAX. UNIT
V
10 V
10 V
1.5 V
1.5 V
1V
1V
19 mA
50 nA
20 nA
2003 Dec 16
4

4페이지










BF1211R 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook,2h0alfpage
ID
(mA)
16
MDB833
12
8
4
0
0 10 20 30 40 50
IG1(µA)
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V.
Tj = 25 °C.
Fig.9 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
handbook,1h6alfpage
ID
(mA)
12
MDB834
8
4
0
01
23
45
VGG (V)
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 75 k(connected to VGG); see Fig.21.
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (VGG); typical values.
20
handbook, halfpage
ID
(mA)
16
12
8
MDB835
(1) (2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
4
0
0 2 46
VGG = VDS (V)
VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C; RG1 connected to VGG; see Fig.21.
(1) RG1 = 47 k.
(2) RG1 = 56 k.
(3) RG1 = 68 k.
(4) RG1 = 75 k.
(5) RG1 = 82 k.
(6) RG1 = 100 k.
(7) RG1 = 120 k.
Fig.11 Drain current as a function of gate 1 (VGG)
and drain supply voltage; typical values.
20
handbook, halfpage
ID
(mA)
16
12
8
MDB836
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
4
0
0 2 46
VG2-S (V)
VDS = 5 V; Tj = 25 °C; RG1 = 75 k(connected to VGG); see Fig.21.
(1) VGG = 5 V.
(2) VGG = 4.5 V.
(3) VGG = 4 V.
(4) VGG = 3.5 V.
(5) VGG = 3 V.
Fig.12 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
2003 Dec 16
7

7페이지


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