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부품번호 | BFQ131 기능 |
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기능 | NPN video transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFQ131
NPN video transistor
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC05
1995 Sep 26
Philips Semiconductors
NPN video transistor
Product specification
BFQ131
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
CONDITIONS
up to Ts = 60 °C; note 1; Ptot = 1.9 W
Note
1. Ts = the temperature at the soldering point of the collector pin.
VALUE
60
UNIT
K/W
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICES
hFE
fT
Cre
collector-base breakdown voltage IC = 0.1 mA; IE = 0
collector-emitter breakdown voltage IC = 0.1 mA; IB = 0
emitter-base breakdown voltage IE = 0.1 mA; IC = 0
collector-emitter cut-off current
VCE = 18 V; VBE = 0
DC current gain
IC = 25 mA; VCE = 10 V;
see Fig.3
transition frequency
IC = 100 mA; VCE = 10 V;
f = 500 MHz; see Fig.4
feedback capacitance
IC = 0; VCE = 10 V; f = 1 MHz;
see Fig.5
25
18
2
−
25
−
−
TYP.
−
−
−
−
4
1.2
MAX.
−
−
−
1
−
UNIT
V
V
V
µA
− GHz
− pF
1995 Sep 26
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BFQ131 | NPN video transistor | NXP Semiconductors |
BFQ135 | NPN 6.5 GHz wideband transistor | NXP Semiconductors |
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