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부품번호 | BCW60D 기능 |
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기능 | NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
NPN Silicon AF Transistors
q For AF input stages and driver applications
q High current gain
q Low collector-emitter saturation voltage
q Low noise between 30 Hz and 15 kHz
q Complementary types: BCW 61, BCX 71 (PNP)
BCW 60
BCX 70
Type
BCW 60 A
BCW 60 B
BCW 60 C
BCW 60 D
BCW 60 FF
BCW 60 FN
BCX 70 G
BCX 70 H
BCX 70 J
BCX 70 K
Marking
AAs
ABs
ACs
ADs
AFs
ANs
AGs
AHs
AJs
AKs
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-C1517
Q62702-C1497
Q62702-C1476
Q62702-C1477
Q62702-C1529
Q62702-C1567
Q62702-C1539
Q62702-C1481
Q62702-C1552
Q62702-C1571
Pin Configuration
123
BEC
Package1)
SOT-23
1) For detailed information see chapter Package Outlines.
Semiconductor Group
1
5.91
BCW 60
BCX 70
Electrical Characteristics
at TA = 25 ˚C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
DC characteristics
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
Base-emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
Base-emitter voltage
IC = 10 µA, VCE = 5 V
IC = 2 mA, VCE = 5 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V 1)
VCEsat
VBEsat
VBE (on)
V
– 0.12 0.25
– 0.20 0.55
– 0.70 0.85
– 0.83 1.05
– 0.52 –
0.55 0.65 0.75
– 0.78 –
AC characteristics
Transition frequency
IC = 20 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz
Output capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
Input capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1 MHz
Short-circuit input impedance
IC = 2 mA, VCE = 5 V, f = 1 kHz
BCW 60 A, BCX 70 G
BCW 60 B, BCX 70 H
BCW 60 FF, BCW 60 C, BCX 70 J
BCW 60 FN, BCW 60 D, BCX 70 K
Open-circuit reverse voltage transfer ratio
IC = 2 mA, VCE = 5 V, f = 1 kHz
BCW 60 A, BCX 70 G
BCW 60 B, BCX 70 H
BCW 60 FF, BCW 60 C, BCX 70 J
BCW 60 FN, BCW 60 D, BCX 70 K
fT
Cobo
Cibo
h11e
h12e
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
250 –
3–
8–
2.7 –
3.6 –
4.5 –
7.5 –
1.5 –
2.0 –
2.0 –
3.0
MHz
pF
kΩ
10– 4
1) Pulse test: t ≤ 300 µs, D ≤ 2 %.
Semiconductor Group
4
4페이지 Base-emitter saturation voltage
IC = f (VBEsat)
hFE = 40
BCW 60
BCX 70
Collector-emitter saturation voltage
IC = f (VCEsat)
hFE = 40
Collector current IC = f (VBE)
VCE = 5 V
DC current gain hFE = f (IC)
VCE = 5 V
Semiconductor Group
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCW60 | NPN general purpose transistors | NXP Semiconductors |
BCW60 | NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) | Siemens Semiconductor Group |
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