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부품번호 | BCX53-10 기능 |
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기능 | PNP medium power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D109
BCX51; BCX52; BCX53
PNP medium power transistors
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 04
1999 Apr 19
Philips Semiconductors
PNP medium power transistors
Product specification
BCX51; BCX52; BCX53
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
IEBO
hFE
VCEsat
VBE
fT
collector cut-off current
emitter cut-off current
IE = 0; VCB = −30 V
IE = 0; VCB = −30 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = −5 V
−
−
−
DC current gain
VCE = −2 V; see Fig.2
IC = −5 mA
IC = −150 mA
40
63
DC current gain
IC = −500 mA
25
IC = −150 mA; VCE = −2 V; see Fig.2
BCX51-10; BCX52-10; BCX53-10
63
BCX51-16; BCX52-16; BCX53-16
100
collector-emitter saturation voltage IC = −500 mA; IB = −50 mA
base-emitter voltage
IC = −500 mA; VCE = −2 V
−
−
transition frequency
IC = −10 mA; VCE = −5 V; f = 100 MHz −
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
50
−100
−10
−100
nA
µA
nA
−
250
−
160
250
−500
−1
−
mV
V
MHz
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
−10−1
VCE = −2 V
MBH730
−1 −10 −102
Fig.2 DC current gain; typical values.
−103
IC (mA)
−104
1999 Apr 19
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP medium power transistors
NOTES
Product specification
BCX51; BCX52; BCX53
1999 Apr 19
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCX53-10 | PNP medium power transistors | NXP Semiconductors |
BCX53-10 | PNP Silicon AF Transistors | Siemens Semiconductor Group |
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