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부품번호 | BCX54-16 기능 |
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기능 | NPN medium power transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
ook, halfpage
M3D109
BCX54; BCX55; BCX56
NPN medium power transistors
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 24
1999 Apr 19
Philips Semiconductors
NPN medium power transistors
Product specification
BCX54; BCX55; BCX56
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO
collector cut-off current
IEBO emitter cut-off current
hFE DC current gain
VCEsat
VBE
fT
hh----FF---EE---12-
DC current gain
BCX54-10; 55-10; 56-10
BCX54-16; 55-16; 56-16
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter voltage
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
CONDITIONS
MIN.
IE = 0; VCB = 30 V
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = 5 V
VCE = 2 V; (see Fig.2)
IC = 5 mA
IC = 150 mA
IC = 500 mA
IC = 150 mA; VCE = 2 V; (see Fig.2)
−
−
−
40
63
25
63
100
IC = 500 mA; IB = 50 mA
−
TYP.
−
−
−
MAX. UNIT
100 nA
10 µA
100 nA
−−
− 250
−−
− 160
− 250
− 0.5 V
IC = 500 mA; VCE = 2 V
−
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz −
IC = 150 mA; VCE = 2 V
−
−1
130 −
1.3 1.6
V
MHz
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
10−1
VCE = 2 V
MBH729
1 10 102
Fig.2 DC current gain; typical values.
IC (mA)
103
1999 Apr 19
4
4페이지 Philips Semiconductors
NPN medium power transistors
NOTES
Product specification
BCX54; BCX55; BCX56
1999 Apr 19
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCX54-10 | NPN medium power transistors | NXP Semiconductors |
BCX54-10 | NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) | Siemens Semiconductor Group |
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