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BCX55-10 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BCX55-10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BCX55-10 자료 제공

부품번호 BCX55-10 기능
기능 NPN medium power transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BCX55-10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BCX55-10 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
ook, halfpage
M3D109
BCX54; BCX55; BCX56
NPN medium power transistors
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 24
1999 Apr 19




BCX55-10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
NPN medium power transistors
Product specification
BCX54; BCX55; BCX56
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
ICBO
collector cut-off current
IEBO emitter cut-off current
hFE DC current gain
VCEsat
VBE
fT
hh----FF---EE---12-
DC current gain
BCX54-10; 55-10; 56-10
BCX54-16; 55-16; 56-16
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter voltage
transition frequency
DC current gain ratio of the
complementary pairs
CONDITIONS
MIN.
IE = 0; VCB = 30 V
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = 5 V
VCE = 2 V; (see Fig.2)
IC = 5 mA
IC = 150 mA
IC = 500 mA
IC = 150 mA; VCE = 2 V; (see Fig.2)
40
63
25
63
100
IC = 500 mA; IB = 50 mA
TYP.
MAX. UNIT
100 nA
10 µA
100 nA
−−
250
−−
160
250
0.5 V
IC = 500 mA; VCE = 2 V
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz
IC= 150 mA; VCE= 2 V
1
130
1.3 1.6
V
MHz
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
101
VCE = 2 V
MBH729
1 10 102
Fig.2 DC current gain; typical values.
IC (mA)
103
1999 Apr 19
4

4페이지










BCX55-10 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
NPN medium power transistors
NOTES
Product specification
BCX54; BCX55; BCX56
1999 Apr 19
7

7페이지


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