|
|
|
부품번호 | BCX70H 기능 |
|
|
기능 | NPN Silicon AF Transistors | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
NPN Silicon AF Transistors
BCW60, BCX70
For AF input stages and driver applications
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Low noise between 30 Hz and 15 kHz
Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP)
3
2
1 VPS05161
Type
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60FF
BCW60FN
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
Marking
AAs
ABs
ACs
ADs
AFs
ANs
AGs
AHs
AJs
AKs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1 Jan-29-2002
BCW60, BCX70
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
DC Characteristics
Collector-emitter saturation voltage1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
VCEsat
V
- 0.12 0.25
- 0.2 0.55
Base-emitter saturation voltage 1)
IC = 10 mA, IB = 0.25 mA
IC = 50 mA, IB = 1.25 mA
VBEsat
- 0.7 0.85
- 0.83 1.05
Base-emitter voltage 1)
IC = 10 µA, VCE = 5 V
IC = 2 mA, VCE = 5 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V
VBE(ON)
-
0.55
-
0.52
0.65
0.78
-
0.75
-
AC Characteristics
Transition frequency
IC = 20 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz
Collector-base capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
Emitter-base capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1 MHz
Short-circuit input impedance
IC = 2 mA, VCE = 5 V, f = 1 kHz
fT
Ccb
Ceb
hFE-grp. h11e
A/G
B/H
C / J / FF
D / K / FN
- 250 - MHz
- 3 - pF
-8-
k
- 2.7 -
- 3.6 -
- 4.5 -
- 7.5 -
Open-circuit reverse voltage transf.ratio | hFE-grp. h12e
IC = 2 mA, VCE = 5 V, f = 1 kHz
A/G
B/H
C / J/FF
D / K / FN
10-4
- 1.5 -
-2-
-2-
-3-
1) Pulse test: t ≤=300µs, D = 2%
4
Jan-29-2002
4페이지 BCW60, BCX70
Base-emitter saturation voltage
IC = f (VBEsat), hFE = 40
10 2 BCW 60/BCX 70
Ι C mA
10 1
100 ˚C
25 ˚C
-50 ˚C
5
EHP00331
Collector-emitter saturation voltage
IC = f (VCEsat), hFE = 40
10 2 BCW 60/BCX 70
Ι C mA
10 1
5
100 ˚C
25 ˚C
-50 ˚C
EHP00332
100 100
55
10 -1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 V 1.2
VBE sat
Collector current IC = f (VBE)
VCE = 5V
10 -1
0
0.1 0.2 0.3
DC current gain hFE = f (IC)
VCE = 5V
0.4 V 0.5
V CEsat
10 2 BCW 60/BCX 70
mA
ΙC
10 1
5
10 0
5
100 ˚C
10 -1
5
EHP00333
10 3 BCW 60/BCX 70
h FE 5 100 ˚C
25 ˚C
102 -50 ˚C
5
25 ˚C -50 ˚C
10 1
5
EHP00334
10 -2
0
0.5 V 1.0
V BE
10 0
10 -2
10 -1
10 0 10 1 mA 10 2
ΙC
7 Jan-29-2002
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ BCX70H.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BCX70 | NPN general purpose transistors | NXP Semiconductors |
BCX70 | Small Signal Transistor (NPN) | General Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |