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BCY87 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BCY87은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BCY87 자료 제공

부품번호 BCY87 기능
기능 NPN general purpose transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BCY87 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BCY87 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D126
BCY87; BCY88; BCY89
NPN general purpose transistors
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jun 20




BCY87 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
NPN general purpose transistors
Product specification
BCY87; BCY88; BCY89
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
Complete device; note 1
II--12---CC--
ratio of collector currents
BCY87
V1B 1E = V2B 2E
BCY88
BCY89
V1B 1E V2B 2E
difference between
base-emitter voltages
I1C = I2C
BCY87
BCY88
BCY89
I1B I2B
difference between base
currents
V1B 1E = V2B 2E
BCY87
BCY88
BCY89
hh----12---FF--EE--
DC current gain ratio
BCY87
BCY88
I1C = I2C
-----VT--
equivalent differential voltage Tamb = 20 °C to +90 °C
BCY87
BCY88
BCY89
-----T-I-
equivalent differential current Tamb = 20 °C to +90 °C
BCY87
BCY88
BCY89
0.9
0.8
0.67
1.11
1.25
1.5
− − 3 mV
− − 6 mV
− − 10 mV
−−
−−
−−
0.9
0.8
1
2
4
−−
−−
−−
25 nA
80 nA
300 nA
1.11
1.25
3 µV/K
6 µV/K
10 µV/K
0.5 nA/K
2 nA/K
10 nA/K
Note
1. These characteristics are valid under the following conditions:
a) Collector-base voltage of both transistors not exceeding 10 V; (V1C 1B = V2C 2B 10 V).
b) Sum of the emitter currents from 10 to 100 µA; (I1E + I2E) = 10 to 100 µA.
1997 Jun 20
4

4페이지










BCY87 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
NPN general purpose transistors
NOTES
Product specification
BCY87; BCY88; BCY89
1997 Jun 20
7

7페이지


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