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부품번호 | BC489 기능 |
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기능 | High Current Transistors | ||
제조업체 | Motorola Inc | ||
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전체 6 페이지수
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by BC489/D
High Current Transistors
NPN Silicon
BC489,A,B
COLLECTOR
1
2
BASE
MAXIMUM RATINGS
3
EMITTER
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current — Continuous
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
VCEO
80
Vdc
VCBO
80
Vdc
VEBO
5.0
Vdc
IC 0.5 Adc
PD 625 mW
5.0 mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 1.5 Watt
Derate above 25°C
12 mW/°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg – 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case RqJC 83.3 °C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
ON CHARACTERISTICS*
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)*
BC489
BC489A
BC489B
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle 2%.
hFE
Min
80
80
5.0
—
40
60
100
160
15
1
2
3
CASE 29–04, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
Typ Max Unit
— — Vdc
— — Vdc
— — Vdc
— 100 nAdc
——
— 400
160 250
260 400
——
—
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
© Motorola, Inc. 1996
1
BC489,A,B
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
TA = 25°C
100 µs
1.0 ms
1.0 s
TC = 25°C
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
BC489
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Active Region — Safe Operating Area
400
TJ =125°C
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
50 70 100
Figure 7. DC Current Gain
VCE = 1.0 V
200 300
500
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.6 VBE(on) @ VCE = 1.0 V
0.4
0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. “On” Voltages
500
1.0
0.8
0.6
IC = 10 mA
50
mA
100 mA
TJ = 25°C
250 mA 500 mA
0.4
0.2
0
0.05 0.1
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
Figure 9. Collector Saturation Region
50
4 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BC485 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | Micro Electronics |
BC485 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | CDIL |
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