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AFM08P2-000 데이터시트 PDF




Alpha Industries에서 제조한 전자 부품 AFM08P2-000은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AFM08P2-000 자료 제공

부품번호 AFM08P2-000 기능
기능 Ka Band Power GaAs MESFET Chip
제조업체 Alpha Industries
로고 Alpha Industries 로고


AFM08P2-000 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AFM08P2-000 데이터시트, 핀배열, 회로
Ka Band Power GaAs MESFET Chip
AFM08P2-000
Features
s 24 dBm Output Power @ 18 GHz
s High Associated Gain, 8.5 dB @ 18 GHz
s High Power Added Efficiency, 20%
s Broadband Operation, DC–40 GHz
s 0.25 µm Ti/Pd/Au Gates
s Passivated Surface
s Through-Substrate Via Hole Grounding
Description
The AFM08P2-000 is a high performance power GaAs
MESFET chip having a gate length of 0.25 µm and a total
gate periphery of 800 µm. The device has excellent gain
and power performance through 40 GHz, making it
suitable for a wide range of commercial and military
applications in oscillator and amplifier circuits. It employs
Ti/Pd/Au gate metallization and surface passivation to
ensure a rugged, reliable part. Through-substrate via holes
are incorporated into the chip to facilitate low inductance
grounding of the source for improved high frequency and
high gain performance.
Drain
0.110 mm
Gate
0.327 mm
0.655 mm
Chip thickness = 0.1 mm.
0.110 mm
Absolute Maximum Ratings
Characteristic
Drain to Source Voltage (VDS)
Gate to Source Voltage (VGS)
Drain Current (IDS)
Gate Current (IGS)
Total Power Dissipation (PT)
Storage Temperature (TST)
Channel Temperature (TCH)
Value
6V
-4 V
IDSS
2 mA
1.4 W
-65 to +150°C
175°C
Electrical Specifications at 25°C
Parameter
Saturated Drain Current (IDSS)
Transconductance (gm)
Pinch-off Voltage (VP)
Gate to Drain
Breakdown Voltage (Vbgd)
Output Power at 1 dB
Compression (P1 dB)
Gain at 1 dB Compression (G1 dB)
Power Added Efficiency (ηadd)
Output Power at 1 dB
Compression (P1 dB)
Gain at 1 dB Compression (G1 dB)
Power Added Efficiency (ηadd)
Thermal Resistance (ΘJC)
Test Conditions
VDS = 2 V, VGS = 0 V
VDS = 5 V, IDS = 2.0 mA
IGD = 800 µA
VDS = 5 V, IDS = 140 mA, F = 18 GHz
VDS = 5 V, IDS = 140 mA, F = 30 GHz
TBASE = 25°C
Min.
175.0
120.0
1.0
8.0
Typ.
265.0
160.0
3.0
12.0
24.0
8.5
20.0
23.0
4.5
10.0
Max.
360.0
5.0
120.0
Unit
mA
mS
-V
-V
dBm
dB
%
dBm
dB
%
°C/W
Alpha Industries, Inc. [781] 935-5150 Fax [617] 824-4579 Email [email protected] www.alphaind.com
Specifications subject to change without notice. 6/99A
1





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