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부품번호 | AG3J 기능 |
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기능 | Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation | ||
제조업체 | Diotec Semiconductor | ||
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전체 1 페이지수
Silicon Rectifier Cells
with polysiloxan passivation
AG 3A … AG3M
Silizium-Gleichrichterzellen
mit Polysiloxan-Passivierung
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
3A
50…1000 V
0.3 g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
AG 3A
AG 3B
AG 3D
AG 3G
AG 3J
AG 3K
AG 3M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Kenn- und Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
80
130
250
450
700
1000
1300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100/C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25/C
IF = 3 A
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
IFAV 3 A 1)
IFRM
30 A 1)
IFSM 150 A
i2t 110 A2s
Tj – 50...+150/C
TS – 50...+150/C
VF < 1.2 V
IR < 10 :A
1) Max. temperature of the terminals TT = 100/C – Max. Temperatur der Kontaktflächen TT = 100/C
398
28.02.2002
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AG30 | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
AG302 | InGaP HBT Gain Block | ETC |
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