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1MB05D-120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 1MB05D-120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1MB05D-120 자료 제공

부품번호 1MB05D-120 기능
기능 Molded IGBT
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


1MB05D-120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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1MB05D-120 데이터시트, 핀배열, 회로
1MB05-120,1MB05D-120,
1200V / 5A
Molded Package
Features
· Small molded package
· Low power loss
· Soft switching with low switching surge and noise
· High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)
· Comprehensive line-up
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Molded IGBT
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
1MB05-120 / IGBT
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation(IGBT)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
Tj
Tstg
-
Rating
1200
±20
9
5
27
100
+150
-40 to +150
50
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
N·m
Equivalent Circuit Schematic
IGBT
C:Collector
G:Gate
E:Emitter
1MB05D-120 / IGBT+FWD
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation (IGBT)
Max. power dissipation (FWD)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
PC
Tj
Tstg
-
Rating
1200
±20
9
5
27
100
60
+150
-40 to +150
50
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
N·m
IGBT + FWD
C:Collector
G:Gate
E:Emitter




1MB05D-120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1MB05-120, 1MB05D-120
Characteristics
1MB05-120,1MB05D-120
Switching time vs. RG
Vcc=600V, Ic=5A, VGE=±15V, Tj=25°C
1000
IGBT Module
Switching time vs. RG
Vcc=600V, Ic=5A, VGE=±15V, Tj=125°C
1000
100
100
1000
Gate resistance : RG [ohm]
100
100
1000
Gate resistance : RG [ohm]
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
1000
800
600
400
200
0
0 20
40 60
80
Gate charge : Qg [nC]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
25
20 1000
15
10
5
0
100
100
10
1
0
5
10 15
20 25
30 35
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE <= 15V, Tj <= 125°C, RG >= 330 ohm
10
8
6
4
2
0
0
200
400
600
800
1000
1200
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Typical short circuit capability
Vcc=800V, RG=330 ohm, Tj=125°C
400
30
200
100
0
5 10 15 20
Gate voltage : VGE [V]
80
60
40
20
0
25

4페이지












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다운로드[ 1MB05D-120.PDF 데이터시트 ]

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