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1MBG05D-060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 1MBG05D-060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1MBG05D-060 자료 제공

부품번호 1MBG05D-060 기능
기능 Molded IGBT
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


1MBG05D-060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1MBG05D-060 데이터시트, 핀배열, 회로
1MBC05-060,1MBC05D-060,
1MBG05D-060
600V / 5A
Molded Package
Features
· Small molded package
· Low power loss
· Soft switching with low switching surge and noise
· High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)
· Comprehensive line-up
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Molded IGBT
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
1MBC05-060 / IGBT
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation(IGBT)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
Tj
Tstg
-
Rating
600
±20
13
5
52
50
+150
-40 to +150
40
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
N·m
Equivalent Circuit Schematic
IGBT
C:Collector
G:Gate
E:Emitter
1MBC05D-060, 1MBG05D-060 / IGBT+FWD
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation (IGBT)
Max. power dissipation (FWD)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
PC
Tj
Tstg
-
Rating
600
±20
13
5
52
50
25
+150
-40 to +150
40
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
N·m
IGBT + FWD
C:Collector
G:Gate
E:Emitter




1MBG05D-060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1MBC05-060, 1MBC05D-060, 1MBG05D-060
IGBT Module
Characteristics
1MBC05-060,1MBC05D-060,1MBG05D-060
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=5A, VGE=±15V, Tj=25°C
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=5A, VGE=±15V, Tj=125°C
1000
1000
100 100
10
0
500
1000
1500
2000
2500
Gate resistance : RG [ohm]
10
0
500
1000
1500
2000
Gate resistance : RG [ohm]
2500
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
500
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
25 1000
Tj=25°C
400 20
100
300 15
200 10
10
100 5
00
0 5 10 15 20 25 30
Gate charge : Qg [nC]
1
0 5 10 15 20 25 30 35
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE <= 15V, Tj <= 125°C, RG >= 330 ohm
12
10
8
6
4
2
0
0 100 200 300 400 500 600 700
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Typical short circuit capability
Vcc=400V, RG=330 ohm, Tj=125°C
80
60
40
20
0
5
10 15
Gate voltage : VGE [V]
20
80
60
40
20
0
25

4페이지












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