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1MBH05D-060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 1MBH05D-060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 1MBH05D-060 자료 제공

부품번호 1MBH05D-060 기능
기능 Molded IGBT
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


1MBH05D-060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1MBH05D-060 데이터시트, 핀배열, 회로
1MBH05D-060
600V / 5A Molded Package
Features
· Small molded package
· Low power loss
· Soft switching with low switching surge and noise
· High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)
· Comprehensive line-up
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Molded IGBT
Outline drawings, mm TO-3PL
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C)
Item
Symbol
Rating
Collector-Emitter voltage
VCES
600
Gate-Emitter voltaga
VGES
±20
Collector DC
Tc=25°C
IC25
21
current
Tc=120°C IC120
5
1ms Tc=25°C Icp
52
Max. power dissipation (IGBT)
PC
80
Max. power dissipation (FWD)
PC
40
Operating temperature
Tj
+150
Storage temperature
Tstg -40 to +150
Screw torque
- 70
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
cm
Electrical characteristics (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Characteristics
Min.
Typ.
Max.
Zero gate voltage collector current ICES
– – 1.0
Gate-Emitter leakage current
IGES
– – 20
Gate-Emitter threshold voltage
VGE(th)
5.5 – 8.5
Collector-Emitter saturation voltage VCE(sat) – – 3.0
Input capacitance
Cies
– 400
Output capacitance
Coes
– 85 –
Reverse transfer capacitance
Cres
– 15 –
Turn-on time
ton
– – 1.2
tr – – 0.6
Turn-off time
toff
– – 1.0
Switching
tf – – 0.35
Time
Turn-on time
ton
– 0.16 –
tr – 0.11 –
Turn-off time
toff
– 0.30 –
tf – – 0.35
FWD forward on voltage VF – – 3.0
Reverse recovery time
trr – – 0.3
Equivalent Circuit Schematic
IGBT +
C:Collector
G:Gate
E:Emitter
Conditions
VGE=0V, VCE=600V
VCE=0V, VGE=±20V
VCE=20V, IC=5mA
VGE=15V, IC=5A
VGE=0V
VCE=10V
f=1MHz
VCC=300V, IC=5A
VGE=±15V
RG=330 ohm
(Half Bridge)
VCC=300V, IC=5A
VGE=+15V
RG=33 ohm
(Half Bridge)
IF=5A
IF=5A, VGE=-10V,
VR=200V, di/dt=100A/µs
FWD
Unit
mA
µA
V
V
pF
µs
µs
V
µs
Thermal resistance characteristics
Item
Symbol
Thermal resistance
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Characteristics
Min.
Typ.
––
––
Max.
1.56
3.12
Conditions
IGBT
FWD
Unit
°C/W
°C/W
http://store.iiic.cc/




1MBH05D-060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1MBH05D-060
Characteristics
Reverse recovery time vs. Forward current
VR=200V, -di/dt=100A/µsec
IGBT Module
Reverse recovery current vs. Forward current
VR=200V, -di/dt=100A/µsec
Forward current : IF (A)
Forward voltage vs. Forward current
Forward current : IF (A)
Reverse recovery chracteristics vs. -di/dt
IF=5A, Tj=125°C
Forward voltage : VF (V)
Transient thermal resistance
-di/dt [A/µsec]
Pulse width : PW (sec)
http://store.iiic.cc/

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