Datasheet.kr   

1MBH50D-060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 1MBH50D-060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1MBH50D-060 자료 제공

부품번호 1MBH50D-060 기능
기능 Molded IGBT
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


1MBH50D-060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

1MBH50D-060 데이터시트, 핀배열, 회로
1MBH50-060,1MBH50D-060,
600V / 50A
Molded Package
Features
· Small molded package
· Low power loss
· Soft switching with low switching surge and noise
· High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)
· Comprehensive line-up
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
Molded IGBT
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
1MBH50-060 / IGBT
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation(IGBT)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
Tj
Tstg
-
Rating
600
±20
82
50
328
310
+150
-40 to +150
70
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
N·m
Equivalent Circuit Schematic
IGBT
C:Collector
G:Gate
E:Emitter
1MBH50D-060 / IGBT+FWD
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltaga
Collector DC
Tc=25°C
current
Tc=100°C
1ms Tc=25°C
Max. power dissipation (IGBT)
Max. power dissipation (FWD)
Operating temperature
Storage temperature
Screw torque
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC100
Icp
PC
PC
Tj
Tstg
-
Rating
600
±20
82
50
328
310
140
+150
-40 to +150
70
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
N·m
IGBT + FWD
C:Collector
G:Gate
E:Emitter




1MBH50D-060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1MBH50-060, 1MBH50D-060
Characteristics
1MBH50-060,1MBH50D-060
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=50A, VGE=±15V, Tj=25°C
1000
IGBT Module
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=50A, VGE=±15V, Tj=125°C
1000
100 100
10
0 50 100 150 200 250
Gate resistance : RG [ohm]
10
0
50 100 150 200
Gate resistance : RG [ohm]
250
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
500
25
400 20
300 15
200 10
100 5
00
0 50 100 150 200 250
Gate charge : Qg [nC]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
1000
100
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE <= 15V, Tj <= 125°C, RG => 62 ohm
120
100
80
60
40
20
0
0 100 200 300 400 500 600 700
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Typical short circuit capability
Vcc=400V, RG=62 ohm, Tj=125°C
600
500
400
300
200
100
0
5 10 15 20
Gate voltage : VGE [V]
60
50
40
30
20
10
0
25

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ 1MBH50D-060.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
1MBH50D-060

Molded IGBT

Fuji Electric
Fuji Electric
1MBH50D-060S

Molded IGBT

Fuji Electric
Fuji Electric

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵