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A615308S-12 데이터시트 PDF




AMIC Technology에서 제조한 전자 부품 A615308S-12은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 A615308S-12 자료 제공

부품번호 A615308S-12 기능
기능 32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
제조업체 AMIC Technology
로고 AMIC Technology 로고


A615308S-12 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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A615308S-12 데이터시트, 핀배열, 회로
A615308 Series
Preliminary
32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
Document Title
32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
Revision History
Rev. No. History
0.0 Initial issue
Issue Date
January 17, 2001
Remark
PRELIMINARY (January, 2001, Version 0.0)
AMIC Technology, Inc.




A615308S-12 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Recommended DC Operating Conditions
(TA = 0°C to + 70°C)
Symbol
Parameter
Min.
VCC
Supply Voltage
4.5
GND
Ground
0
VIH
Input High Voltage
2.2
VIL
Input Low (1) Voltage
-0.5
CL Output Load
-
A615308 Series
Typ.
5.0
0
3.5
0
-
Max.
5.5
0
VCC + 0.5
+0.8
30
Unit
V
V
V
V
pF
Absolute Maximum Ratings*
*Comments
VCC to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +7V
IN, IN/OUT Volt to GND . . . . . . . . . . -0.5V to VCC +0.5V
Operating Temperature, Topr . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
Storage Temperature, Tstg . . . . . . . . . . -55°C to +125°C
Temperature Under Bias, Tbias . . . . . . . . -10°C to +85°C
Power Dissipation, PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Stresses above those listed under "Absolute Maximum
Ratings" may cause permanent damage to this device.
These are stress ratings only. Functional operation of this
device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is
not implied or intended. Exposure to the absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device
reliability.
DC Electrical Characteristics (TA = 0°C to + 70°C, VCC = 5V ± 10%, GND = 0V)
Symbol
Parameter
ILI
Input Leakage
A615308-12
Min.
Max.
-2
Unit Conditions
µA VIN = GND to VCC
ILO
Output Leakage
ICC1 (2)
ISB
ISB1
Dynamic Operating
Current
Standby Power
Supply Current
VOL Output Low Voltage
VOH Output High Voltage
- 2 µA CE = VIH or OE = VIH
VI/O = GND to VCC
- 150 mA CE = VIL, II/O = 0 mA
Min. Cycle, Duty = 100%
- 35 mA CE = VIH
CE VCC - 0.2V
- 12 mA VIN VCC -0.2V or
VIN 0.2V
- 0.4 V IOL = 8 mA
2.4 -
V IOH = -4 mA
Notes: 1. VIL = -3.0V for pulses less than 20 ns.
2. ICC1 is dependent on output loading, cycle rates, and Read/Write patterns.
PRELIMINARY (January, 2001, Version 0.0)
3
AMIC Technology, Inc.

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A615308S-12 전자부품, 판매, 대치품
Timing Waveforms (continued)
Read Cycle 2(1, 2, 4)
Address
DOUT
tRC
tAA
tOH
Read Cycle 3(1, 3, 4,)
CE
DOUT
tCLZ5
tACE
A615308 Series
tOH
tCHZ5
Notes: 1. WE is high for Read Cycle.
2. Device is continuously enabled, CE = VIL.
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.
4. OE = VIL.
5. Transition is measured ±200mV from steady state. This parameter is sampled and not 100% tested.
PRELIMINARY (January, 2001, Version 0.0)
6
AMIC Technology, Inc.

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