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부품번호 | CT20ASL-8 기능 |
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기능 | STROBE FLASHER USE | ||
제조업체 | Powerex Power Semiconductors | ||
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전체 2 페이지수
CT20ASL-8
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
CT20ASL-8
STROBE FLASHER USE
OUTLINE DRAWING
6.5
5.0 ± 0.2
4
Dimensions in mm
0.5 ± 0.1
¡VCES ................................................................................ 400V
¡ICM .................................................................................... 130A
APPLICATION
Strobe Flasher.
0.9MAX.
2.3
1.0
2.3
0.5 ± 0.2
0.8
123
wr
q GATE
q w COLLECTOR
e EMITTER
r COLLECTOR
e
MP-3
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
Symbol
VCES
VGES
VGEM
ICM
Tj
Tstg
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulsed)
Junction temperature
Storage temperature
Conditions
VGE = 0V
VCE = 0V, See notice 4
VCE = 0V, tw = 10s
See figure 1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C)
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)CES
ICES
IGES
VGE(th)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter leakage current
Gate-emitter leakage current
Gate-emitter threshold voltage
IC = 1mA, VGE = 0V
VCE = 400V, VGE = 0V
VGE = ±16V, VCE = 0V
VCE = 10V, IC = 1mA
Ratings
400
±15
±16
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
Unit
V
V
V
A
°C
°C
Limits
Unit
Min. Typ. Max.
450 —
—V
— — 10 µA
— — ±0.1 µA
0.5 — 4.0 V
Feb.1999
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CT20ASL-8 | STROBE FLASHER USE | Mitsubishi Electric Semiconductor |
CT20ASL-8 | STROBE FLASHER USE | Powerex Power Semiconductors |
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