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AR1104 데이터시트 PDF




Power Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AR1104은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AR1104 자료 제공

부품번호 AR1104 기능
기능 RECTIFIER DIODE
제조업체 Power Semiconductors
로고 Power Semiconductors 로고


AR1104 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AR1104 데이터시트, 핀배열, 회로
POSEICO
POSEICO SPA
POwer SEmiconductors Italian COrporation
POSEICO SPA
Via N. Lorenzi 8, 16152 Genova - ITALY
Tel. ++ 39 010 6556234 - Fax ++ 39 010 6557519
Sales Office:
Tel. ++ 39 010 6556775 - Fax ++ 39 010 6442510
RECTIFIER DIODE
FINAL SPECIFICATION
mag 02 - ISSUE : 05
Symbol Characteristic
AR1104
Repetitive voltage up to
Mean forward current
Surge current
Conditions
2900 V
1680 A
17.9 kA
Tj
[°C]
Value
Unit
BLOCKING
V RRM
Repetitive peak reverse voltage
V RSM
Non-repetitive peak reverse voltage
I RRM
Repetitive peak reverse current
V=VRRM
175 2900
175 3000
175 50
V
V
mA
CONDUCTING
I F (AV)
Mean forward current
I F (AV)
I FSM
I² t
V FM
V F(TO)
rF
Mean forward current
Surge forward current
I² t
Forward voltage
Threshold voltage
Forward slope resistance
180° sin ,50 Hz, Th=55°C, double side cooled
180° sin ,50 Hz, Tc=85°C, double side cooled
Sine wave, 10 ms
without reverse voltage
Forward current =
1800 A
1680
A
1600
A
175 17.9
kA
1602 x 1E3 A²s
25 1.30
V
175 0.85
V
175 0.260
mohm
SWITCHING
t rr Reverse recovery time
Q rr Reverse recovery charge
I rr Peak reverse recovery current
µs
175 µC
A
MOUNTING
R th(j-h)
Thermal impedance, DC
R th(c-h)
Thermal impedance
T j Operating junction temperature
F Mounting force
Mass
Junction to heatsink, double side cooled
Case to heatsink, double side cooled
ORDERING INFORMATION : AR1104 S 29
standard specification
VRRM/100
37 °C/kW
7 °C/kW
-30 / 175
°C
11.8 / 13.2 kN
300 g




AR1104 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AR1104 RECTIFIER DIODE
FINAL SPECIFICATION mag 02 - ISSUE : 05
6000
FORWARD CHARACTERISTIC
Tj = 175 °C
5000
4000
3000
2000
1000
0
0.6
1.1 1.6 2.1
Forward Voltage [V]
2.6
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
DOUBLE SIDE COOLED
40.0
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
0.001
0.01
0.1 1
t[s]
10
100
POSEICO
POSEICO SPA
POwer SEmiconductors Italian COrporation
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
SURGE CHARACTERISTIC
Tj = 175 °C
10
n° cycles
100
All the characteristics given in this data sheet are guaranteed only with uniform
clamping force, cleaned and lubricated heatsink, surfaces with flatness < .03 mm
and roughness < 2 µm.
In the interest of product improvement POSEICO SPA reserves the right to change
any data given in this data sheet at any time without previous notice.
If not stated otherwise the maximum value of ratings (simbols over shaded
background) and characteristics is reported.
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