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AR1109S44 데이터시트 PDF




Power Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AR1109S44은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AR1109S44 자료 제공

부품번호 AR1109S44 기능
기능 RECTIFIER DIODE
제조업체 Power Semiconductors
로고 Power Semiconductors 로고


AR1109S44 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AR1109S44 데이터시트, 핀배열, 회로
POSEICO
POSEICO SPA
POwer SEmiconductors Italian COrporation
POSEICO SPA
Via N. Lorenzi 8, 16152 Genova - ITALY
Tel. ++ 39 010 6556234 - Fax ++ 39 010 6557519
Sales Office:
Tel. ++ 39 010 6556775 - Fax ++ 39 010 6442510
RECTIFIER DIODE
FINAL SPECIFICATION
nov 02 - ISSUE : 05
Symbol Characteristic
BLOCKING
V RRM
Repetitive peak reverse voltage
V RSM
Non-repetitive peak reverse voltage
I RRM
Repetitive peak reverse current
AR1109
Repetitive voltage up to
Mean forward current
Surge current
Conditions
V=VRRM
4400 V
1000 A
10.3 kA
Tj
[°C]
Value
Unit
150 4400
150 4500
150 50
V
V
mA
CONDUCTING
I F (AV)
Mean forward current
I F (AV)
I FSM
I² t
V FM
V F(TO)
rF
Mean forward current
Surge forward current
I² t
Forward voltage
Threshold voltage
Forward slope resistance
180° sin ,50 Hz, Th=55°C, double side cooled
180° sin ,50 Hz, Tc=85°C, double side cooled
Sine wave, 10 ms
without reverse voltage
Forward current =
1800 A
1000
A
905 A
150 10.3
kA
530 x 1E3 A²s
25 1.80
V
150 0.89
V
150 0.675
mohm
SWITCHING
t rr Reverse recovery time
Q rr Reverse recovery charge
I rr Peak reverse recovery current
µs
150 µC
A
MOUNTING
R th(j-h)
Thermal impedance, DC
R th(c-h)
Thermal impedance
T j Operating junction temperature
F Mounting force
Mass
Junction to heatsink, double side cooled
Case to heatsink, double side cooled
ORDERING INFORMATION : AR1109 S 44
standard specification
VRRM/100
37 °C/kW
7 °C/kW
-30 / 150
°C
11.8 / 13.2 kN
300 g




AR1109S44 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AR1109 RECTIFIER DIODE
FINAL SPECIFICATION nov 02 - ISSUE : 05
3500
FORWARD CHARACTERISTIC
Tj = 150 °C
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0.6
1.1 1.6 2.1
Forward Voltage [V]
2.6
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
DOUBLE SIDE COOLED
40.0
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
0.001
0.01
0.1 1
t[s]
10
100
POSEICO
POSEICO SPA
POwer SEmiconductors Italian COrporation
12
10
8
6
4
2
0
1
SURGE CHARACTERISTIC
Tj = 150 °C
10
n° cycles
100
All the characteristics given in this data sheet are guaranteed only with uniform
clamping force, cleaned and lubricated heatsink, surfaces with flatness < .03 mm
and roughness < 2 µm.
In the interest of product improvement POSEICO SpA reserves the right to change
any data given in this data sheet at any time without previous notice.
If not stated otherwise the maximum value of ratings (simbols over shaded
background) and characteristics is reported.
Distributed by

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