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PDF ASI10712 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza ASI10712
Descripción NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Fabricantes Advanced Semiconductor　
Logotipo Advanced Semiconductor Logotipo



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VHB10-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI VHB10-12F is Designed for
FEATURES:
•
•
• Omnigold™ Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC 2.0 A
VCBO
36 V
VCEO
18 V
VCES
36 V
VEBO
PDISS
TJ
TSTG
θJC
4.0 V
20 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
8.8 OC/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
.112 x 45°
B
A
Ø.125 NOM.
FULL R
J
.125
C
D
E
F
GH I
DIM
MINIMUM
inches / mm
A .220 / 5.59
B .785 / 19.94
C .720 / 18.29
D .970 / 24.64
E
F .004 / 0.10
G .085 / 2.16
H .160 / 4.06
I
J .240 / 6.10
MAXIMUM
inches / mm
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
ORDER CODE: ASI10712
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 15 mA
BVCES
IC = 50 mA
BVEBO
IE = 2.5 mA
ICBO
VCB = 12.5 V
hFE VCE = 5.0 V
IC = 250 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
36
4.0
1.0
5.0 200
UNITS
V
V
V
mA
---
COB VCB = 12.5 V
f = 1.0 MHz
45 pF
PG
VCC = 12.5 V
POUT = 10 W
ηC
f = 175 MHz
10
60
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
ASI10710VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement ModeAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10711NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10712NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
ASI10713NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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