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부품번호 | HRU0302 기능 |
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기능 | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
HRU0302A
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
ADE-208-235G(Z)
Rev 7
Jul. 1998
Features
• Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying.
• Ultra small Resin Package (URP) is suitablefor high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HRU0302A
Laser Mark
Z
Package Code
URP
Outline
Cathode mark
Mark
12
1. Cathode
2. Anode
HRU0302A
Main Characteristic
0.25
0A t
0.20
T
Tj =25°C
D= t \
T
0.15
0.10
0.05
D=1/6
D=1/3
Sin( ˘=180°)
D=1/2
DC
0.20
0V
0.15
t
T
Tj =125°C
D= t \
T
0.10
0.05
D=5/6
D=2/3
D=1/2
Sin( ˘=180°)
0
0 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
Forward current @ @IF @(A)
Fig4. Forward power dissipation Vs. Forward current
0
0 5 10 15 20 25
Reverse voltage @ @VR @(V)
Fig5. Reverse power dissipation Vs. Reverse voltage
0.40
VR=VRRM/2
Tj =125°C
Rth(j-a)=450°C/W
0.30
D=1/6
0.20
0.10
DC
D=1/2
Sin( ˘=180°)
D=1/3
0
-25 0 25 50 75 100 125
Ambient temperature Ta ( °C)
Fig.6 Average rectified current Vs. Ambient temperature
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
HRU0302 | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying | Hitachi Semiconductor |
HRU0302A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying | Hitachi Semiconductor |
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