Datasheet.kr   

BAL99 데이터시트 PDF




Comchip Technology에서 제조한 전자 부품 BAL99은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAL99 자료 제공

부품번호 BAL99 기능
기능 Surface Mount Switching Diode
제조업체 Comchip Technology
로고 Comchip Technology 로고


BAL99 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BAL99 데이터시트, 핀배열, 회로
Surface Mount Switching Diode
BAV99 Thru BAW56 Voltage: 70 Volts
Current: 215mA
Features
Fast Switching Speed
Surface Mount Package Ideally Suited
for Automatic Insertio
COMCHIP
www.comchip.com.tw
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
Mechanical data
Case: SOT -23, Plastic
Approx. Weight: 0.008 gram
This diodes is also available in other
configurations including a dual common
cathode with type designation BAV70, a dual
common anodes with type designation
BAW56 and single chip inside with type
Designation BAL99
.119 (3.0)
.110 (2.8)
.020 (0.5)
3
SOT-23
Top View
12
BAV99
ANODE
CATHODE
1
3
ANODE
2
CATHODE
3
ANODE
BAL99
1
2
CATHODE
.037(0.95) .037(0.95)
CATHODE
3
CATHODE
ANODE
1
2
ANODE
BAV70
ANODE
3
ANODE
CATHODE
1
2
CATHODE
BAW56
.020 (0.5) .020 (0.5)
.103 (2.6)
.086 (2.2)
Dimensions in inches (millimeters)
Maximum Ratings
Continuous Reverse Voltage
Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Rating
Symbol
VR
IF
IFM(surge)
Value
70
215
500
Units
VDC
mAdc
mAdc
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
PD
RșJA
PD
RșJA
TJ, Tstg
Max
225
1.8
556
300
2.4
417
–55 to +150
Units
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
Electrical Characterics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic (OFF CHARACTERISTICS)
Reverse Breakdown Voltage ( I(BR) = 100 uAdc )
Reverse Voltage Leakage Current
VR = 25 Vdc, TJ = 150°C
VR = 70 Vdc
VR = 70 Vdc, TJ = 150°C
Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz))
Forward Voltage
I F = 1.0 mAdc
I F = 10 mAdc
I F = 50 mAdc
I F = 150 mAdc
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0mAdc) RL = 100ȍ
1.FR–5 = 1.0 X 0.75X 0.062 in. 2.Aluminum = 0.4X 0.3X 0.024 in. 99.5% aluminum.
Symbol
V(BR)
IR
CD
VF
Trr
Min
70
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
30
2.5
50
1.5
715
855
1000
1250
6.0
Units
Vdc
uAdc
pF
mV
nS
MDS0210001A
Page 1





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ BAL99.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BAL99

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

Pan Jit International Inc.
Pan Jit International Inc.
BAL99

High-speed diode

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵