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부품번호 | BAR63-06 기능 |
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기능 | Silicon PIN Diodes | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
Silicon PIN Diodes
PIN diode for high speed
switching of RF signals
Very low forward resistance (low insertion loss)
Very low capacitance (high isolation)
For frequencies up to 3GHz
BAR63...
BAR63-02..
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
BAR63-05
BAR63-05W
BAR63-06
BAR63-06W
BAR63-07L4
3
1 2 D1 D2
12
3
D1 D2
12
3
D1 D2
12
4
D1
1
3
D2
2
Type
BAR63-02L*
BAR63-02V
BAR63-02W
BAR63-03W
BAR63-04
BAR63-04W
BAR63-05
BAR63-05W
BAR63-06
BAR63-06W
BAR63-07L4*
* preliminary data
Package
TSLP-2-1
SC79
SCD80
SOD323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
TSLP-4-4
Configuration
single, leadless
single
single
single
series
series
common cathode
common cathode
common anode
common anode
parallel pair, leadless
LS(nH) Marking
0.4 G
0.6 G
0.6 GG
1.8 G
1.8 G4s
1.4 G4s
1.8 G5s
1.4 G5s
1.8 G6s
1.4 G6s
0.4 P3s
1 Jun-27-2003
BAR63...
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min. typ. max.
AC Characteristics
Diode capacitance
VR = 5 V, f = 1 MHz
VR = 0 V, 100 MHz ... 1.8 GHz
Reverse parallel resistance
VR = 0 V, f = 100 MHz
VR = 0 V, f = 1 GHz
VR = 0 V, f = 1.8 GHz
Forward resistance
IF = 5 mA, f = 100 MHz
IF = 10 mA, f = 100 MHz
Charge carrier life time
IF = 10 mA, IR = 6 mA, measured at IR = 3 mA,
RL = 100
I-region width
Insertion loss1)
IF = 1 mA, f = 1.8 GHz
IF = 5 mA, f = 1.8 GHz
IF = 10 mA, f = 1.8 GHz
Isolation1)
VR = 0 V, f = 0.9 MHz
VR = 0 V, f = 1.8 MHz
VR = 0 V, f = 2.45 MHz
CT
RP
rf
rr
WI
|S21|2
|S21|2
- 0.21 0.3
- 0.3 -
- 500 -
- 15 -
-5-
- 1.2 2
-1-
- 75 -
- 4.5 -
- -0.15 -
- -0.11 -
- -0.1 -
- -17.9 -
- -12.3 -
- -10 -
1BAR63-02L in series configuration, Z = 50
Unit
pF
k
ns
µm
dB
4 Jun-27-2003
4페이지 BAR63...
Permissible Puls Load RthJS = (tp)
BAR63-04...BAR63-06
5
K/W
R thJS
EHB07146
10 2
5
10 1
5
10 0
10 -6 10 -5
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.05
0.01
0.005
0
D
=
tP
T
tP
T
10 -4 10 -3 10 -2
s
tP
10 0
Permissible Pulse Load
IFmax/ IFDC = (tp)
BAR63-04...BAR63-06
Ι Fmax 10 2
Ι FDC
5
D = tP
T
tP
T
EHB07147
D=
0
0.005
10 1
0.01
0.02
0.05
0.1
5 0.2
0.5
10 0
10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
s 10 0
tP
Permissible Puls Load RthJS = (tp)
BAR63-02V, BAR63-02W
10 3
Permissible Pulse Load
IFmax/ IFDC = (tp)
BAR63-02V, BAR63-02W
10 1
K/W
10 2
0.5
0.2
0.1
10 1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
- 0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
10
0
10
-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tp
7 Jun-27-2003
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BAR63-02L | Silicon PIN Diodes | Infineon Technologies AG |
BAR63-02V | Silicon PIN Diodes | Infineon Technologies AG |
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