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부품번호 | BAR80 기능 |
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기능 | Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isolation Low shunt insertion loss) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
Silicon RF Switching Diode
l Design for use in shunt configuration
l Hight shunt signal isolation
l Low shunt insertion loss
BAR 80
Type
BAR 80
Marking
AAs
Ordering code
(tape and reel)
Q62702-A1084
Pin configuration
1 23
CAC
Package 1)
4
A MW-4
Maximum ratings
Parameter
Reverse voltage
Forward current
Operating temperature range
Storage temperature range
Symbol
VR
IF
Top
Tstg
BAR 80
35
100
-55...+125
-55...+150
Unit
V
mA
°C
°C
1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm
Semiconductor Group
1
Edition A02, 27.02.95
Permissible pulse load RthJS = f (tp)
K/W
R thJS
BAR 80
Permissible pulse load IFmax / IFDC = f (tp)
_I _F_m_a_x__
IF DC
tp
t
p
Semiconductor Group 4 Edition A02, 27.02.95
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAR80 | Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isolation Low shunt insertion loss) | Siemens Semiconductor Group |
BAR80 | Silicon RF Switching Diode | Infineon Technologies AG |
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