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BAR81W PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAR81W
기능 Silicon RF Switching Diode Preliminary data (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
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BAR81W 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon RF Switching Diode
Preliminary data
Design for use in shunt configuration
High shunt signal isolation
Low shunt insertion loss
BAR 81W
3
4
2
1 VPS05605
Type
BAR 81W
Marking Ordering Code Pin Configuration
Package
BBs Q62702-A1270 1 = A1 2 = C2 3 = A2 4 = C1 SOT-343
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation, TS = 138 °C
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - ambient 1)
Junction - soldering point
Symbol
VR
IF
Ptot
Tj
Top
Tstg
RthJA
RthJS
Value
30
100
100
150
-55 ...+125
-55 ...+150
Unit
V
mA
mW
°C
°C
200
120
K/W
1) Package mounted on alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
11
Sep-109498-1-1919-081




BAR81W pdf, 반도체, 판매, 대치품
BAR 81W
Forward current IF = f (VF)
TA = 25°C
Forward resistance rf = f(IF)
f = 100MHz
10 3
mA
10 2
10 1
10 0
10 -1
400 500 600 700 800 mV 1000
VF
Diode capacitance CT = f (VR)
f = 1MHz
3.0
Ohm
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
10
-1
10 0
mA 10 1
IF
Diode capacitance CT = f (VR)
f = 100MHz
1.0 1.0
pF pF
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VR
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
44
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VR
Sep-109498-1-1919-081

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