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BAR81W PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAR81W
기능 Silicon RF Switching Diode
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고 



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BAR81W 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon RF Switching Diode
 Designed for use in shunt configuration in
high performance RF switches
 High shunt signal isolation
 Low shunt insertion loss
 Optimized for short - open transformation
using  lines
BAR81...
BAR81W
43
12
Type
BAR81W
Package
SOT343
* series inductance chip to ground
Configuration
single shunt-diode
LS(nH) Marking
0.15* BBs
Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation
Ts  138°C
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature
VR
IF
Ptot
Tj
Top
Tstg
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Junction - soldering point1)
RthJS
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Value
30
100
100
150
-55 ... 125
-55 ... 150
Value
 120
Unit
V
mA
mW
°C
Unit
K/W
1 Dec-20-2002




BAR81W pdf, 반도체, 판매, 대치품
BAR81...
Forward current IF =  (TS)
BAR81W
Permissible Puls Load RthJS =  (tp)
BAR81W
120
mA
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
00 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150
TS
10 3
K/W
10 2
0.5
10 1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
0
10
-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tP
Permissible Pulse Load
IFmax/ IFDC =  (tp)
BAR81W
10 2
-
D=0
0.005
0.01
0.02
10 1
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
tP
4
Dec-20-2002

4페이지













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부품번호상세설명 및 기능제조사
BAR81

Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration High shunt signal isolation Low shunt insertion loss)

Siemens Semiconductor Group
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BAR81

Silicon RF Switching Diodes

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

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