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부품번호 | BAS125-07W 기능 |
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기능 | Silicon Schottky Diode (For low-loss/ fast-recovery/ meter protection/ bias isolation and clamping applications) | ||
제조업체 | Siemens Semiconductor Group | ||
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전체 4 페이지수
Silicon Schottky Diode
• For low-loss, fast-recovery, meter protection,
bias isolation and clamping applications
• Integrated diffused guard ring
• Low forward voltage
BAS 125-07W
3
4
2
1 VPS05605
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type
Marking Ordering Code Pin Configuration
Package
BAS 125-07W 17s
Q62702-D1347 1 = C1 2 = C2 3 = A2 4 = A1 SOT-343
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Surge forward current (t< 100µs)
Total power dissipation, TS = 25 °C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VR
IF
IFSM
Ptot
Tj
Tstg
Value
25
100
500
250
150
- 55 ...+150
Unit
V
mA
mW
°C
Maximum Ratings
Junction - ambient 1)
Junction - soldering point
RthJA
RthJS
≤ 725
≤ 565
K/W
1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
11
Jun1-90948--11919-081
Diode capacitance CT = f (VR)
f = 1MHz
1.0 BAS 125...
C T pF
0.8
EHD07117
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10 V 20
VR
BAS 125-07W
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
44
Jun1-90948--11919-081
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS125-07 | Silicon Schottky Diode (For low-loss/ fast-recovery/ meter protection/ bias isolation and clamping applications) | Siemens Semiconductor Group |
BAS125-07 | Silicon Schottky Diode | Infineon Technologies AG |
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