|
|
|
부품번호 | BAS16 기능 |
|
|
기능 | PNP SILICON HIGH SPEED SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SOT23 PNP SILICON HIGH
SPEED SWITCHING DIODE
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
PIN CONFIGURATION
BAS16
E
C
PARTMARKING DETAILS
BAS16 A6
B
! SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Continuous Reverse Voltage
Repetative Reverse Voltage
Repetative Peak Forward Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
VR
VRRM
IFRM
Ptot
Tj:Tstg
VALUE
75
85
250
330
-55 to +150
UNIT
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Forward Voltage
VF
Reverse Current
IR
Forward Recovery
Voltage
VFR
Diode Capacitance
Cd
Reverse Recovery Time trr
715
855
1000
1250
30 nA
1 mA
50
1.75
2 pF
6 ns
IF=1mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
VR=25V, Tj=150°C
VR=75V
VR=75V, Tj=150°C
Switched to
IF=10mA, tr=20ns
f=1MHz, VR=0
IF=10mA, IRM=10mA
RL=100Ω, Irr=1mA
(1) Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%
(2) At zero life time, measured under pulse conditions to avoid excessive dissipation and voltage
limited to 275V
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAS16.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS100ATB6 | SURFACE MOUNT DUAL ISOLATED OPPOSING SILICON SCHOTTKY DIODES | Pan Jit International |
BAS101 | High Voltage Switching Diodes | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |