|
|
|
부품번호 | BAS21 기능 |
|
|
기능 | SILICON HIGH SPEED SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SOT23 SILICON HIGH
SPEED SWITCHING DIODE
ISSUE 2 JANUARY 1995
PIN CONFIGURATION
BAS19
BAS20
BAS21
2
1
PARTMARKING DETAILS
BAS19 A8
BAS20 A81
! BAS21 A82
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Continuous Reverse Voltage
Repetative Peak Reverse Voltage
Average Forward Rectified Current
Forward Current
Repetative Peak Forward Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
SYMBOL
VR
VRRM
IF(AV)
IF
IFRM
Ptot
Tj:Tstg
BAS19
100
120
BAS20
150
200
200
200
625
330
-55 to +150
BAS21
200
250
UNIT
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Reverse
Breakdown
Voltage
BAS19
BAS20
BAS21
Reverse Current
V(BR)
IR
Static Forward Voltage VF
Differential Resistance rdiff
Diode Capacitance
Cd
Reverse Recovery Time trr
120
200
250
5
V
V
V
100 nA
100 µA
1.00
1.25
Ω
5 pF
50 ns
IR=100µA (1)
IR=100µA (1)
IR=100µA (2)
VR=VRmax
VR=VRmax, TJ=150°C
IF=100mA
IF=200mA
IF=10mA
f=1MHz
IF=30mA to IR=30mA
RL=10Ω measured at IR=3mA
(1) Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%
(2) At zero life time, measured under pulse conditions to avoid excessive dissipation and voltage
limited to 275V
Spice parameter data is available upon request for this device
PAGE NO
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAS21.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS20 | Small Signal Diodes | General Semiconductor |
BAS20 | SURFACE MOUNT DIODE | Rectron Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |