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BAS28 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BAS28은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAS28 자료 제공

부품번호 BAS28 기능
기능 High-speed double diode ( Reverse voltage : 75V )
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BAS28 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAS28 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS28
High-speed double diode
Rev. 3 — 22 July 2010
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Two high-speed switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in a
small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The diodes are not
connected.
1.2 Features and benefits
„ High switching speed: trr 4 ns
„ Reverse voltage: VR 75 V
„ Repetitive peak reverse voltage: VRRM 85 V
„ Repetitive peak forward current: IFRM 500 mA
„ AEC-Q101 qualified
„ Small SMD package
1.3 Applications
„ High-speed switching in e.g. surface-mounted circuits
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Per diode
IF forward current
IR reverse current
VR reverse voltage
trr reverse recovery time
Conditions
VR = 75 V
Min Typ
[1] -
-
-
[2] -
-
-
-
-
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB).
[2] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA.
Max
215
1
75
4
Unit
mA
μA
V
ns




BAS28 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BAS28
High-speed double diode
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Per diode
VF forward voltage
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
IR reverse current
VR = 25 V
VR = 75 V
VR = 25 V; Tj = 150 °C
VR = 75 V; Tj = 150 °C
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR = 0 V
trr reverse recovery time
VFR forward recovery voltage
Min Typ
--
--
--
--
--
--
--
--
--
[1] -
-
[2] -
-
[1] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA.
[2] When switched from IF = 10 mA; tr = 20 ns.
Max Unit
715 mV
855 mV
1V
1.25 V
30 nA
1 μA
30 μA
50 μA
1.5 pF
4 ns
1.75 V
300
IF
(mA)
200
mbg382
(1) (2) (3)
102
IFSM
(A)
10
mbg704
100 1
0
0
1 VF (V)
2
(1) Tj = 150 °C; typical values
(2) Tj = 25 °C; typical values
(3) Tj = 25 °C; maximum values
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage
101
1
10 102 103 104
tp (μs)
Based on square wave currents.
Tj = 25 °C; prior to surge
Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
BAS28
Product data sheet
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BAS28 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
9. Package outline
BAS28
High-speed double diode
3.0
2.8
1.9
43
1.1
0.9
2.5 1.4
2.1 1.2
0.45
0.15
1
0.88
0.78
Dimensions in mm
1.7
Fig 8. Package outline BAS28 (SOT143B)
2
0.48
0.38
0.15
0.09
04-11-16
10. Packing information
Table 8. Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number Package
Description
BAS28
SOT143B 4 mm pitch, 8 mm tape and reel
Packing quantity
3 000
10 000
-215
-235
[1] For further information and the availability of packing methods, see Section 14.
BAS28
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