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부품번호 | BAS35 기능 |
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기능 | General purpose controlled avalanche double diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D088
BAS29; BAS31; BAS35
General purpose controlled
avalanche (double) diodes
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 10
1999 May 21
Philips Semiconductors
General purpose controlled avalanche
(double) diodes
Product specification
BAS29; BAS31; BAS35
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
Per diode
VF forward voltage
IR reverse current
V(BR)R
Cd
trr
reverse avalanche breakdown
voltage
diode capacitance
reverse recovery time
CONDITIONS
MIN. MAX. UNIT
see Fig.3
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IF = 400 mA
see Fig.5
VR = 90 V
VR = 90 V; Tj = 150 °C
IR = 1 mA
−
−
−
−
−
−
−
120
f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6
when switched from IF = 30 mA to
IR = 30 mA; RL = 100 Ω;
measured at IR = 3 mA; see Fig.7
−
−
750 mV
840 mV
900 mV
1V
1.25 V
100 nA
100 µA
170 V
35 pF
50 ns
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-tp
Rth j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient note 1
Note
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
CONDITIONS
VALUE
360
500
UNIT
K/W
K/W
1999 May 21
4
4페이지 Philips Semiconductors
General purpose controlled avalanche
(double) diodes
PACKAGE OUTLINE
Plastic surface mounted package; 3 leads
Product specification
BAS29; BAS31; BAS35
SOT23
DB
E AX
3
1
e1 bp
e
2
wM B
HE v M A
A
A1
Q
detail X
Lp
c
0 1 2 mm
scale
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
UNIT
A
A1
max.
bp
c
D
mm
1.1
0.9
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e e1 HE Lp Q v
1.9
0.95
2.5
2.1
0.45 0.55
0.15 0.45
0.2
w
0.1
OUTLINE
VERSION
SOT23
1999 May 21
IEC
REFERENCES
JEDEC
EIAJ
7
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
7페이지 | |||
구 성 | 총 12 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS3005A | Low VF Schottky Diode | Infineon Technologies |
BAS3005B | Medium Power AF Schottky Diode | Infineon Technologies |
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