|
|
|
부품번호 | BAS40-06W 기능 |
|
|
기능 | Schottky barrier double diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
ok, halfpage
M3D102
BAS40W series
Schottky barrier (double) diodes
Product specification
Supersedes data of 1997 Oct 28
1999 Apr 26
Philips Semiconductors
Schottky barrier (double) diodes
GRAPHICAL DATA
handboo1k,0h2alfpage
IF
(mA)
10
(1) (2) (3) (4)
1
10 1
MLC361 - 1
10 2
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VF (V)
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
(4) Tamb = −40 °C.
Fig.6 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Product specification
BAS40W series
103
handbook, halfpage
IR
(µA)
102
MLC362
(1)
10
(2)
1
10−1
10−2
0
(3)
10 20 30 VR (V) 40
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.7 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
handboo1k,0h3alfpage
r diff
(Ω)
102
MLC364
10
1
10 1 1 10 IF (mA) 102
5
handbooCk,dhalfpage
(pF)
4
MLC363
3
2
1
0
0 10 20 30 40
VR (V)
f = 10 KHz.
Fig.8 Differential forward resistance as a function
of forward current; typical values.
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.9 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 Apr 26
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier (double) diodes
NOTES
Product specification
BAS40W series
1999 Apr 26
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAS40-06W.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS40-06 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
BAS40-06 | Silicon Schottky Diodes (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping) | Siemens Semiconductor Group |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |