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BAS40-7 데이터시트 PDF




Diodes Incorporated에서 제조한 전자 부품 BAS40-7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAS40-7 자료 제공

부품번호 BAS40-7 기능
기능 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Diodes Incorporated
로고 Diodes Incorporated 로고


BAS40-7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAS40-7 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS40/ -04/ -05/ -06
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
· Low Forward Voltage Drop
· Fast Switching
· PN Junction Guard Ring for Transient and
ESD Protection
Mechanical Data
· Case: SOT-23, Molded Plastic
· Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
· Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
· Polarity: See Diagram Below
· Weight: 0.008 grams (approx.)
· Marking Code: See Diagrams Below & Page 2
· Ordering Information: See Page 2
A
TOP VIEW
ED
G
H
D
BC
K
J
L
M
SOT-23
Dim Min Max
A 0.37 0.51
B 1.20 1.40
C 2.30 2.50
D 0.89 1.03
E 0.45 0.60
G 1.78 2.05
H 2.80 3.00
J 0.013 0.10
K 0.903 1.10
L 0.45 0.61
M 0.85 0.80
a 0° 8°
All Dimensions in mm
BAS40 Marking: K43
BAS40-04 Marking: K44
BAS40-05 Marking: K45
BAS40-06 Marking: K46
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Forward Surge Current (Note 1)
@ t < 1.0s
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRWM
VR
IFM
Pd
IFSM
RqJA
Tj
TSTG
Value
40
200
350
600
357
-55 to +125
-65 to +150
Unit
V
mA
mW
mA
°C/W
°C
°C
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage (Note 2)
Reverse Leakage Current (Note 2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol
V(BR)R
VF
IR
CT
trr
Min
40
Typ Max Unit
Test Condition
— — V IR = 10mA
380
1000
mV
tp < 300ms, IF = 1.0mA
tp < 300ms, IF = 40mA
20 200 nA tp < 300ms, VR = 30V
4.0 5.0 pF VR = 0V, f =1.0MHz
5.0
ns
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,
RL = 100W
Note: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DS11006 Rev. 12 - 2
1 of 2
BAS40 /-04 /-05 /-06





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