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BAS40T 데이터시트 PDF




Diodes Incorporated에서 제조한 전자 부품 BAS40T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAS40T 자료 제공

부품번호 BAS40T 기능
기능 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Diodes Incorporated
로고 Diodes Incorporated 로고


BAS40T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAS40T 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS40T/-04T/-05T/-06T
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
· Low Forward Voltage Drop
SOT-523
· Fast Switching
· Ultra-Small Surface Mount Package
· PN Junction Guard Ring for Transient and ESD
Protection
Mechanical Data
A
C
TOP VIEW B C
Dim Min Max Typ
A 0.15 0.30 0.22
B 0.75 0.85 0.80
C 1.45 1.75 1.60
D ¾ ¾ 0.50
· Case: SOT-523, Molded Plastic
· Case material - UL Flammability Rating 94V-0
· Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method K
208
· Polarity: See Diagrams Below
J
· Marking: See Diagrams Below (& Page 2)
B
G
H
E
N
DL
M
G 0.90 1.10 1.00
H 1.50 1.70 1.60
J 0.00 0.10 0.05
K 0.60 0.80 0.75
L 0.10 0.30 0.22
M 0.10 0.20 0.12
· Weight: 0.002 grams (approx.)
N 0.45 0.65 0.50
· Ordering Information, see Page 2
a 0° 8° ¾
All Dimensions in mm
BAS40T Marking: 43
BAS40-04T Marking: 44
BAS40-05T Marking: 45
BAS40-06T Marking: 46
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IFSM
Pd
RqJA
Tj
TSTG
Value
40
28
200
600
150
833
-55 to +125
-65 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C/W
°C
°C
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage (Note 2)
Leakage Current (Note 2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol
V(BR)R
VF
IR
CT
trr
Min
40
¾
¾
¾
¾
Max
¾
380
1000
200
5.0
5.0
Unit
V
mV
mV
nA
pF
ns
Test Condition
IR = 10mA
IF = 1.0mA, tp < 300ms
IF = 40mA, tp < 300ms
VR = 30V
VR = 0, f = 1.0MHz
IF = IR = 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
DS30265 Rev. 5 - 2
1 of 2
BAS40T/-04T/-05T/-06T





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