Datasheet.kr   

BAS70-05T-7 데이터시트 PDF




Diodes Incorporated에서 제조한 전자 부품 BAS70-05T-7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAS70-05T-7 자료 제공

부품번호 BAS70-05T-7 기능
기능 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Diodes Incorporated
로고 Diodes Incorporated 로고


BAS70-05T-7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BAS70-05T-7 데이터시트, 핀배열, 회로
BAS70T/ -04T/ -05T/ -06T
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
Features
· Low Turn-on Voltage
· Fast Switching
· PN Junction Guard Ring for Transient and
ESD Protection
· Ultra-Small Surface Mount Package
Mechanical Data
A
C
TOP VIEW B C
· Case: SOT-523, Molded Plastic
· Case material - UL Flammability Rating 94V-0
· Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
· Polarity: See Diagrams Below
· Marking: See Diagrams Below & Page 2
· Weight: 0.002 grams (approx.)
· Ordering Information, see Page 2
K
J
B
G
H
E
N
DL
SOT-523
Dim Min Max Typ
A 0.15 0.30 0.22
B 0.75 0.85 0.80
C 1.45 1.75 1.60
D ¾ ¾ 0.50
G 0.90 1.10 1.00
H 1.50 1.70 1.60
J 0.00 0.10 0.05
M
K 0.60 0.80 0.75
L 0.10 0.30 0.22
M 0.10 0.20 0.12
N 0.45 0.65 0.50
a 0° 8° ¾
All Dimensions in mm
BAS70T Marking: 7C
BAS70-04T Marking: 7D
BAS70-05T Marking: 7E
BAS70-06T Marking: 7F
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ tp < 1.0s
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IFSM
Pd
RqJA
Tj
TSTG
Value
70
49
70
100
150
833
-55 to +125
-65 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C/W
°C
°C
Electrical Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage (Note 2)
Leakage Current (Note 2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol
V(BR)R
VF
IR
CT
trr
Min
70
¾
¾
Max
410
1000
100
2.0
5.0
Unit Test Condition
— IR = 10mA
mV
tp <300µs, IF = 1.0mA
tp <300µs, IF = 15mA
nA tp < 300µs, VR = 50V
pF VR = 0V, f = 1.0MHz
ns
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
DS30261 Rev. 4 - 2
1 of 2
BAS70T/ -04T/ -05T/ -06T





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ BAS70-05T-7.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BAS70-05T-7

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵