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BAS70-06 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAS70-06
기능 SILICON PLANAR DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODES
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고 



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BAS70-06 데이터시트, 핀배열, 회로
SOT23 SILICON PLANAR DUAL
SCHOTTKY BARRIER DIODES
ISSUE 3 - JULY 1995
7
11
1
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
.
2
1
3
32
23
23
SERIES PAIR
COMMON CATHODE COMMON ANODE
Device Type: BAS70-04 Device Type: BAS70-05 Device Type: BAS70-06
Partmarking Detail: 2Z Partmarking Detail: 2Z5 Partmarking Detail: 1Z
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
Ptot
Tj:Tstg
VALUE
330
-55 to +150
UNIT
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.
Breakdown Voltage VBR 70
V
Reverse Leakage Current IR
200 nA
Forward Voltage
VF
410 mV
Forward Current
IF 15
mA
Capacitance
CT
2.0 pF
Effective Minority Lifetime τ
(1)
100 ps
(1) Sample Test
For typical characteristics graphs see ZC2800E datasheet.
IR=10µA
VR=50V
IF=1mA
VF=1V
f=1MHz, VR=0
f=54MHz, Ipk= 20mA
(Krakauer Test Method)
3-3






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