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BAS70-06S PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAS70-06S
기능 Silicon Schottky Diode Array (General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)
제조업체 Siemens Semiconductor Group
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BAS70-06S 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon Schottky Diode Array
General-purpose diode for high-speed switching
Circuit protection
Voltage clamping
High-level detecting and mixing
Available with CECC quality assessment
BAS 70-06S
4
5
6
3
2
1 VPS05604
Type
Marking Ordering Code
BAS 70-06S 76s
Q62702-A3469
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Surge forward current (t< 100µs)
Total power dissipation, TS 72 °C
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction - ambient 1)
Junction - soldering point
Pin Configuration
Package
1/4=C1 2/5=C2 3/6=A1/A2SOT-363
Symbol
VR
IF
IFSM
Ptot
Tj
Top
Tstg
RthJA
RthJS
Value
70
70
100
250
150
- 55 ...+150
- 55 ...+150
Unit
V
mA
mW
°C
545
310
K/W
1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
11
Sep-109798-1-1919-081




BAS70-06S pdf, 반도체, 판매, 대치품
BAS 70-06S
Forward current IF = f (VF)
TA = Parameter
Reverse current IR = f (VR)
TA = Parameter
10 2 BAS 70W/BAS 170W
Ι F mA
10 1
EHB00042
10 0
10 -1
TA = -40 C
25 C
85 C
150 C
10 2 BAS 70W/BAS 170W
ΙR µA
10 1
10 0
10 -1
10 -2
EHB00043
TA = 150 C
85 C
25 C
10 -2
0.0 0.5 1.0
Diode capacitance CT = f (VR)
f = 1MHz
V 1.5
VF
10 -3
0
20 40 60 V 80
VR
Differential forward resistance rf = f (IF)
f = 10 kHz
2.0 BAS 70W/BAS 170W
C T pF
1.5
1.0
0.5
EHB00044
10 3 BAS 70W/BAS 170W
rf
10 2
10 1
EHB00045
0.0 10 0
0 20 40 60 V 80 0.1 1 10 mA 100
VR Ι F
SSeemmicioconndduuctcotor rGGrorouupp
44
Sep-109798-1-1919-081

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