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부품번호 | BAS82 기능 |
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기능 | Schottky barrier diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
lfpage
M3D121
BAS81; BAS82; BAS83
Schottky barrier diodes
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 30
1998 Jun 24
Philips Semiconductors
Schottky barrier diodes
GRAPHICAL DATA
handboo1k,0h2alfpage
IF
(mA)
10
MGC690
(1) (2) (3)
1
(1) (2) (3)
10 −1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VF (V)
(1) Tamb = 85 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −40 °C.
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
2.0
Cd
(pF)
1.5
MGC688
1.0
0.5
0
0 15 30 45 60
VR (V)
Product specification
BAS81; BAS82; BAS83
handIbRoo1k,0h4alfpage
(nA)
10 3
10 2
10
MGC689
(1)
(2)
1
10 −1
(3)
10 −2
0
20 40 VR (V) 60
(1) Tamb = 85 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −40 °C.
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz.
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1998 Jun 24
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier diodes
NOTES
Product specification
BAS81; BAS82; BAS83
1998 Jun 24
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS81 | Schottky barrier diodes | NXP Semiconductors |
BAS81 | Small Signal Schottky Diodes | Vishay Telefunken |
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