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부품번호 | BAT120S 기능 |
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기능 | Schottky barrier double diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
halfpage
M3D087
BAT120 series
Schottky barrier double diodes
Product specification
Supersedes data of 1998 Jan 21
1998 Oct 30
Philips Semiconductors
Schottky barrier double diodes
GRAPHICAL DATA
104
handbook, halfpage
IF
(mA)
103
102
10
(1)
(2)
(3)
(4)
MBK572
1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VF (V)
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 100 °C.
(3) Tamb = 75 °C.
(4) Tamb = 25 °C.
Fig.5 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Product specification
BAT120 series
104
handbook, halfpage
IR
(mA)
103
102
10
MBK573
(1)
(2)
(3)
(4)
1
0 10 20 VR (V) 30
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 100 °C.
(3) Tamb = 75 °C.
(4) Tamb = 25 °C.
Fig.6 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
103
handbook, halfpage
Cd
(pF)
102
MBK571
10
0 10 20 VR (V) 30
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.7 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1998 Oct 30
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier double diodes
NOTES
Product specification
BAT120 series
1998 Oct 30
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT120 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
BAT120A | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
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