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BAT20J 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BAT20J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAT20J 자료 제공

부품번호 BAT20J 기능
기능 HIGH EFFICIENCY SWITCHING AND ULTRA LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BAT20J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAT20J 데이터시트, 핀배열, 회로
® BAT20J
HIGH EFFICIENCY SWITCHING AND
ULTRA LOW LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
IF(AV)
VRRM
IR 25°C(max) @ 15V
Tj (max)
1A
23 V
12 µA
150 °C
AK
FEATURES AND BENEFITS
Low conduction losses
Very low reverse current
Negligible switching losses
Low capacitance diode
Low forward and reverse recovery times
Extremely fast switching
Surface mount device
DESCRIPTION
The BAT20J is using 23V schottky barrier diode
encapsulated on a SOD-323 package. This is spe-
cially suited for switching mode in mobile phone
and PDA power management applications or LED
driver circuits (step up converters).
SOD-323
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
VRRM
IF(RMS)
IF(AV)
IFSM
Tstg
Tj
TL
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak forward current
Average forward current
δ = 0.38
Surge non repetitive forward current (tp=10ms sinusoidal)
Maximum storage temperature range
Maximum operating junction temperature *
Maximum temperature for soldering during *
Value
23
2
1
5
- 65 to +150
150
260
* : dPtot <
1 thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
dTj Rth( j a)
Order code
Part Number
BAT20JFILM
April 2004 - Ed: 1
Marking
20
Unit
V
A
A
A
°C
°C
°C
1/5




BAT20J pdf, 반도체, 판매, 대치품
BAT20J
Fig. 7-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values, high level).
IFM(A)
1.E+01
1.E+00
Tj=150°C
1.E-01
Tj=85°C
1.E-02
1.E-03
Tj=25°C
1.E-04
VFM(V)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
Fig. 7-2: Forward voltage drop versus forward
current (low level).
IFM(A)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
0.1
Tj=150°C
(typical values)
Tj=85°C
(typical values)
Tj=25°C
(typical values)
Tj=25°C
(maximum values)
VFM(V)
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Fig. 8: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (epoxy
printed circuit board FR4, eCU=35µm, typical
values).
Rth(j-a)(°C/W)
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
SCu(mm²)
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Fig. 9: Thermal resistance junction to ambient
versus power dissipation (epoxy printed circuit
board FR4, eCU=35µm, typical values).
Rth(j-a)(°C/W)
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 50 100
P(mW)
150 200 250
SCU=2.25mm2
Tamb=25°C
300 350 400
4/5

4페이지












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