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부품번호 | BAT254 기능 |
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기능 | Schottky barrier diode | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D154
BAT254
Schottky barrier diode
Product specification
Supersedes data of 1996 Mar 19
1999 Apr 22
Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
GRAPHICAL DATA
handboo1k,0h3alfpage
IF
(mA)
10 2
(1) (2) (3)
MSA892
10
(1) (2) (3)
1
10 1
0
0.4
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
0.8 1.2
VF (V)
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Product specification
BAT254
10 3
IR
(µA)
10 2
10
MSA893
(1)
(2)
1 (3)
10 1
0
10 20 VR (V) 30
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
15
Cd
(pF)
10
MSA891
handbIFook, halfpage
dI F
dt
5
0
0 10 20 V R (V) 30
Qr
IR
tf
10% t
90%
MRC129 - 1
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 Apr 22
4
Fig.5 Reverse recovery definitions.
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier diode
NOTES
Product specification
BAT254
1999 Apr 22
7
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구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT254 | Schottky barrier diode | NXP Semiconductors |
BAT25E | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
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