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부품번호 | BAT63-07WE6811 기능 |
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기능 | Silicon Schottky Diode | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
Silicon Schottky Diode
Low barrie diode for detectors up to GHz
frequencies
For high-speed switching applications
Zero bias detector diode
BAT63-07WE6811
BAT63-07W
4
D1
1
3
D2
2
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type
BAT63-07WE6811
Package
SOT343
Configuration
parallel pair
LS (nH) Marking
1.6 63s
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation
TS 103 °C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VR
IF
Ptot
Tj
Tstg
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Junction - soldering point1)
RthJS
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Value
8
100
100
150
-55 ... 150
Value
470
Unit
V
mA
mW
°C
Unit
K/W
1 Jul-24-2002
Permissible Pulse Load
IFmax/ IFDC = (tp)
10 1
BAT63-07WE6811
mA
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
°C 10 0
tp
Rectifier voltage Vout = (Vin)
RL = Parameter
10 3
mV
10 2
10 1
10 0
10 -1
RL=500k
200k
100k
50k
20k
Testcircuit
D.U.T
V I R IN
50 Ω
CL
1nF
R L V0
10 -2
10
-3
10
-1
10 0
10 1
10 2 mV 10 3
Vin
4
Jul-24-2002
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT63-07WE6811 | Silicon Schottky Diode | Infineon Technologies AG |
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