|
|
|
부품번호 | BAT754C 기능 |
|
|
기능 | Schottky barrier double diodes | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
age
M3D088
BAT754 series
Schottky barrier (double) diodes
Product specification
1999 Aug 05
Philips Semiconductors
Schottky barrier (double) diodes
GRAPHICAL DATA
handboo1k,0h3alfpage
IF
(mA)
10 2
(1) (2) (3)
MSA892
10
(1) (2) (3)
1
10 1
0
0.4
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
0.8 1.2
VF (V)
Fig.6 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
15
Cd
(pF)
10
MSA891
Product specification
BAT754 series
10 3
IR
(µA)
10 2
10
MSA893
(1)
(2)
1 (3)
10 1
0
10
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb = 85 °C.
(3) Tamb = 25 °C.
20 VR (V) 30
Fig.7 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
5
0
0 10 20 V R (V) 30
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.8 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
1999 Aug 05
4
4페이지 Philips Semiconductors
Schottky barrier (double) diodes
NOTES
Product specification
BAT754 series
1999 Aug 05
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAT754C.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT754 | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
BAT754A | Schottky barrier double diodes | NXP Semiconductors |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |