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부품번호 | BAT86 기능 |
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기능 | Schottky Diodes | ||
제조업체 | General Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
BAT86
Schottky Diodes
NEW PRODUCT
DO-35
max. ∅.079 (2.0)
Cathode
Mark
max. ∅.020 (0.52)
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES
♦ For general purpose applications.
♦ This diode features low turn-on volt-
age. The devices are protected by a PN
junction guard ring against excessive volt-
age, such as electrostatic discharges.
♦ Metal-on-silicon Schottky barrier device which is
protected by a PN junction guard ring. The low for-
ward voltage drop and fast switching make it ideal
for protection of MOS devices, steering, biasing and
coupling diodes for fast switching and low logic level
applications.
♦ This diode is also available in the Mini-MELF case
with the type designation BAS86.
MECHANICAL DATA
Case: DO-35 Glass Case
Weight: approx. 0.13 g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Symbol Min.
Max.
Continuous Reverse Voltage
Forward Continuous Current at Tamb = 25 °C
Repetitive Forward Current
at tp < 1 s, υ ≤ 0.5, Tamb = 25 °C
Power Dissipation at Tamb = 25 °C
Junction Temperature
VR
IF
IFRM
Ptot
Tj
–
–
–
–
–
50
2001)
5001)
2001)
125
Ambient Operating Temperature Range
Tamb
–65
+125
Storage Temperature Range
TS –65
+150
1) Valid provided that leads at a distance of 4 mm from case are kept at ambient temperature.
Unit
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
5/98
222
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAT86.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAT81 | Schottky barrier diodes | NXP Semiconductors |
BAT81 | Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin DO-34 | New Jersey Semiconductor |
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