Datasheet.kr   

BAV102 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BAV102은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAV102 자료 제공

부품번호 BAV102 기능
기능 Single general-purpose switching diodes
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BAV102 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BAV102 데이터시트, 핀배열, 회로
BAV102; BAV103
Single general-purpose switching diodes
Rev. 4 — 6 August 2010
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Single general-purpose switching diodes, fabricated in planar technology, and
encapsulated in small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted
Device (SMD) packages.
Table 1. Product overview
Type number
Package
NXP
BAV102
SOD80C
BAV103
JEITA
-
Configuration
single
1.2 Features and benefits
„ High switching speed: trr 50 ns
„ Low leakage current
„ Low capacitance: Cd 5 pF
„ Small hermetically sealed glass
SMD package
1.3 Applications
„ High-speed switching
„ General-purpose switching
„ Voltage clamping
„ Reverse polarity protection
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
IF
VR
trr
Quick reference data
Parameter
forward current
reverse voltage
BAV102
BAV103
reverse recovery time
Conditions
Min Typ Max Unit
[1][2] - - 250 mA
- - 150 V
- - 200 V
[3] - - 50 ns
[1] Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[3] When switched from IF = 30 mA to IR = 30 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 3 mA.




BAV102 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BAV102; BAV103
Single general-purpose switching diodes
600
IF
(mA)
400
200
mbg459
(1) (2)
(3)
102
IFSM
(A)
10
1
mbg703
0
0 1 VF (V) 2
(1) Tamb = 150 °C; typical values
(2) Tamb = 25 °C; typical values
(3) Tamb = 25 °C; maximum values
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage
103
IR
(μA)
102
mgd009
10
1
101
102
0
100 Tj (°C)
200
Fig 3.
VR = VRmax
Solid line: maximum values
Dotted line: typical values
Reverse current as a function of junction
temperature
101
1
10 102 103 104
tp (μs)
Based on square wave currents.
Tj = 25 °C; prior to surge
Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
1.6
Cd
(pF)
1.4
mgd005
1.2
1.0
0.8
0
10
f = 1 MHz; Tamb = 25 °C
VR (V)
20
Fig 4. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
BAV102_BAV103
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 4 — 6 August 2010
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
4 of 11

4페이지










BAV102 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
11. Soldering
BAV102; BAV103
Single general-purpose switching diodes
4.55
4.30
2.30
2.25 1.70 1.60
0.90
(2x)
Fig 9. Reflow soldering footprint SOD80C
6.30
4.90
2.70
1.90
2.90 1.70
Fig 10. Wave soldering footprint SOD80C
sod080c
solder lands
solder paste
solder resist
occupied area
Dimensions in mm
sod080c
solder lands
solder resist
occupied area
tracks
Dimensions in mm
BAV102_BAV103
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 4 — 6 August 2010
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
7 of 11

7페이지


구       성 총 11 페이지수
다운로드[ BAV102.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BAV10

High-speed diode

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BAV100

General purpose diodes

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵