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부품번호 | BAV170 기능 |
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기능 | Silicon Low Leakage Diode Array | ||
제조업체 | Infineon Technologies AG | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
Silicon Low Leakage Diode Array
• Low-leakage applications
• Medium speed switching times
BAV170...
BAV170
3
D1 D2
12
Type
BAV170
Package
SOT23
Configuration
common cathode
Marking
JXs
Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Diode reverse voltage
VR
Peak reverse voltage
Forward current
Non-repetitive peak surge forward current
t = 1 µs
VRM
IF
I FSM
Value
80
85
200
4.5
Unit
V
mA
A
t=1s
0.5
Total power dissipation
TS ≤ 35°C
Junction temperature
Storage temperature
Ptot 250 mW
Tj 150 °C
Tstg -65 ... 150
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point1)
BAV170
Symbol
RthJS
Value
≤ 460
Unit
K/W
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
1 Mar-10-2004
BAV170...
Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp)
10 3
Permissible Pulse Load
IFmax/ IFDC = ƒ (tp)
10 2
10 2
10 1
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
10 0
0,02
0,01
0,005
0
10
-1
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
TP
D=0
- 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
10 1 0.5
10
0
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
TP
4 Mar-10-2004
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAV17 | Silicon Epitaxial Planar Diodes | Vishay Telefunken |
BAV17 | General Purpose Diodes | Fairchild Semiconductor |
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